飞思卡尔为L波段雷达推出50V LDMOS功率晶体管
出处:ZRL700424 发布于:2008-06-10 10:43:27
RF产品线包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驱动。当频率在1200 - 1400 MHz之间时, MRF6V14300H生成330 W的RF脉冲输出功率;与竞争性双极场效晶体管(FET)器件相比,它重新设立了该功率和频率级的新的效率、增益和热阻标准。
先进的RF功率晶体管产品线(同时也是飞思卡尔50V RF功率LDMOS电子系统和雷达系列的首条产品线)为那些希望在L波段频率设计RF脉冲功率产品的客户提供了竞争优势,如标准电源、冷却成本低和托盘设计的高可靠性等。计划在今年下半年推出的飞思卡尔新版本雷达和航空电子,有望展示出良好的增益、效率和热阻性能,能够全面超过目前市场其它同类产品。 飞思卡尔MRF6V14300H器件封装在符合RoHS标准的气腔陶瓷封装内,热阻不到0.12o C/W JC,能够有效管理散热,减少散热器规模。出色的热性能为冷却器提供结温。MRF6V10010N是过模塑料封装,也具有出色的热性能。当与其他产品结合使用时,就能实现冷却成本低和托盘设计的高可靠性优势。
MRF6V14300H的关键RF性能数字有:1200 -1400 MHz的频率范围,330W的输出功率(在1400MHz,脉冲宽度为300 μsec,12%的占空比)、17 dB增益、60%的漏极效率。特别值得一提的是,60%的漏极效率比竞争产品至少高出10个百分点。MRF6V10010N提供8W的输出功率(1400 MHz、300 ?s、12%的占空比)、22 dB增益和60%的漏极效率。
与飞思卡尔50 V LDMOS系列的其它器件一样,这些先进器件融入了静电放电(ESD)保护功能,有助于减少它们对装配站点上的静电事件的敏感性。这种ESD保护支持-6 V 到 +10 V的大范围栅极电压,当器件运行在更高效率级(如C级)时,这一设计的优势就非常明显。
RF器件基于飞思卡尔第6代超高压(VHV6) 50 V LDMOS技术。首先被飞思卡尔实现商用的50 V VHV6 LDMOS平台显示出行业的增益和效率。加之器件封装和热管理领域内的创新,VHV6技术通过每晶体管额定功率的提高,进一步减少了器件计数和系统成本。
飞思卡尔拥有40多年的RF功率经验,是一家的RF功率器件提供商(信息Allied Business Intelligence),迄今已经交付了40多亿瓦的大功率应用。飞思卡尔在交付创新、高度可靠、经济高效RF解决方案方面有着悠久的历史,能够帮助设计人员加快设计流程,在动态市场中取得成功,同时这还有助于确保提供长期大量运输的公司拥有充足的货源。
定价和供货情况
MRF6V10010N产品现已推出样品,并已投入批量生产。MRF6V14300H正在打样,并有望在2008年第三季度全面投入生产。MRF6V14300H的宽带参考文本也已上市。两款器件的大信号型号预计2008年年底推出。
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- 构建和认证开源 IoT 控制器,第 4 部分:法规遵从性2024/1/4 16:29:00
- 物联网应用于智能电网的关键技术2023/12/28 17:32:26
- 构建和认证开源 IoT 控制器,第 2 部分:开源认证2023/12/21 17:17:18
- 物联网工业设计2023/12/19 17:28:19
- 电池供电物联网系统中的驱动电机2023/12/14 17:09:33