在处理宽带信号的模拟电路(高频电路)和利用各种各样的时钟动作的逻辑电路中使用的IC的旁路电容，都要求在宽频率范围内具有低阻抗的特性。一般地，低频领域，使用铝电解电容；高频领域，使用0，01pt～0.1ptF的陶瓷电容，如可能，也可将层压型或片型电容并联连接使用(图1)。

　　图2是测定1p～100ptF的铝电解电容的阻抗一频率特性曲线。从曲线上可知，阻抗与静电容量成比例，变为低阻抗。一般地，使用4，7p～47pF的电容，但在高频下，就会具有数Ω的阻抗z。此时，从△V＝｜z｜×△i的关系来看，在电源电流变化大的电路中，不能抑制端子电压的变动。

　　图1 适于作电源旁路电容的电容

　　图2 铝电解电容的(1/4.7/10/47/1O0μF)阻抗－频率特性(f＝10k～4OMHz，标识点f＝1MHz，10OpF),由于用100pF以上的电容会使阻抗下降，所以在端子电压变动大的电路中，能得到容许大容量化的良好效果。

　　图3是测定1pt～100pF的浸渍式钽电解电容的阻抗一频率特性曲线。它和图2中所示的铝电解电容的倾向不同。即同样的静电容量，阻抗很低，可期望其作为旁路电容的效果。但是考虑到钽电解电容的可靠性，并不常用。钽电解电容的充电电流和放电电流不像铝电解电容那样，可取值很大，因此如出现故障，会变成短路。

　　图2 钽电解电容（1/4.7/ 10/47/100μF）的阻抗－频率特性(f＝10k～4OMHz，标识点f＝1MHz，100μF)

　　图3 浸渍式钽电解电容

　　图4 是研究适于承担高频波的陶瓷电容的阻抗－频率特性曲线。与先前的实验不同，变更纵轴和横轴的比例。

　　在这种频率特性中，阻抗｜z｜变为的频率凡称为自身共振频率。C＝0.1μF时为10M～20MHz(取决于引线的长度)，处理这以上的频率时，选用0.Lμ～0.01μF的电容。

　　图4 被用于旁路电容的电容的阻抗－频率特性(f＝1M～4OMHz，标识点f＝10MHz)

　　薄膜系列和陶瓷系列的电容，虽然在很小的静电容量下能够达到低阻抗化，但应注意其低阻抗的范围很狭小。

　　但是无论选用哪种，在高频电路和高速逻辑电路中，如果在IC电源管脚附近不附加旁路电容，就不能得到旁路电容的效果。