DRAM 的英文全称是"Dynamic RAM"，翻译成中文就是"动态随机存储器"。。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM 必须隔一段时间刷新（refresh）。如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。 DRAM用于通常的数据存取。我们常说内存有多大，主要是指DRAM的容量。

　　所有的DRAM基本单位都是由一个晶体管和一个电容器组成。请看下图：

　　上图只是DRAM一个基本单位的结构示意图：电容器的状态决定了这个DRAM单位的逻辑状态是1还是0，但是电容的被利用的这个特性也是它的缺点。一个电容器可以存储一定量的电子或者是电荷。一个充电的电容器在数字电子中被认为是逻辑上的1，而“空”的电容器则是0。电容器不能持久的保持储存的电荷，所以内存需要不断定时刷新，才能保持暂存的数据。电容器可以由电流来充电——当然这个电流是有一定限制的，否则会把电容击穿。同时电容的充放电需要一定的时间，虽然对于内存基本单位中的电容这个时间很短，只有大约0.2-0.18微秒，但是这个期间内存是不能执行存取操作的。

　　DRAM制造商的一些资料中显示，内存至少要每64ms刷新，这也就意味着内存有1％的时间要用来刷新。内存的自动刷新对于内存厂商来说不是一个难题，而关键在于当对内存单元进行读取操作时保持内存的内容不变——所以DRAM单元每次读取操作之后都要进行刷新：执行回写操作，因为读取操作也会破坏内存中的电荷，也就是说对于内存中存储的数据是具有破坏性的。所以内存不但要每64ms刷新，每次读操作之后也要刷新。这样就增加了存取操作的周期，当然潜伏期也就越长。 SRAM，静态（Static）RAM不存在刷新的问题，一个SRAM基本单元包括4个晶体管和2个电阻。它不是通过利用电容充放电的特性来存储数据，而是利用设置晶体管的状态来决定逻辑状态——同CPU中的逻辑状态一样。读取操作对于SRAM不是破坏性的，所以SRAM不存在刷新的问题。

　　SRAM不但可以运行在比DRAM高的时钟频率上，而且潜伏期比DRAM短的多。SRAM仅仅需要2到3个时钟周期就能从CPU缓存调入需要的数据，而DRAM却需要3到9个时钟周期（这里我们忽略了信号在CPU、芯片组和内存控制电路之间传输的时间）。