结型场效应管(JFET)的主要参数
出处:jiagnzhang 发布于:2010-06-10 16:59:07
(1). 夹断电压VP
当vDS为某一固定值(例如10V),使iD等于某一微小电流(例如50mA)时,栅-源极间所加的电压即夹断电压。
(2). 饱和漏极电流IDSS
在vGS=0的条件下,场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。
(3). 直流输入电阻RGS
它是在漏-源极间短路的条件下,栅-源极间加一定电压时,栅-源极间的直流电阻。
(4). 低频跨导gm
当vDS为常数时,漏极电流的微小变化量与栅-源电压vGS的微小变化量之比为跨导,即
gm反映了栅-源电压对漏极电流的控制能力,是表征场效应管放大能力的一个重要参数。单位为西门子(s),有时也用ms或μs表示。需要指出的是,gm与管子的工作电流有关,iD越大,gm就越大。在放大电路中,场效应管工作在饱和区(恒流区),gm可由式和 求得,即
(5). 输出电阻rd
当vGS为常数时,漏-源电压的微小变化量与漏极电流iD的微小变化量之比为输出电阻rd,即
rd反映了漏-源电压vDS对iD的影响。在饱和区内,iD几乎不随vDS而变化,因此,rd数值很大,一般为几十千欧~几百千欧。
(6). 极间电容Cgs、Cgd、Cds
Cgs是栅-源极间存在的电容,Cgd是栅-漏极间存在的电容。它们的大小一般为1~3pF,而漏-源极间的电容Cds约为0.1~1pF。在低频情况下,极间电容的影响可以忽略,但在高频应用时,极间电容的影响必须考虑。
(7). 漏-源电压V(BR)DS
指管子沟道发生雪崩击穿引起iD急剧上升时的vDS值。V(BR)DS的大小与vGS有关,对N沟道而言,|vGS|的值越大,则V(BR)DS越小。
(8). 栅-源电压V(BR)GS
指栅-源极间的PN结发生反向击穿时的vGS值,这时栅极电流由零而急剧上升。
(9). 漏极耗散功率PDM
漏极耗散功率PD(=vDSiD)变为热能使管子的温度升高,为了限制管子的温度,就需要限制管子的耗散功率不能超过PDM。PDM的大小与环境温度有关。
除了以上参数外,结型场效应管还有噪声系数,高频参数等其他参数。结型场效应管的噪声系数很小,可达1.5dB以下。
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