b触点型“PhotoMOS”的开发

随着PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器的优势被广泛了解，人们将其用于信息通信设备、OA设备、FA设备及其他广泛的领域。为了满足大众进一步的需求，本公司开发出了“可通过机械实现、并拥有所有触点构成(b触点、c触点)”的PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器。

为实现该产品的开发，我们在功率MOSFET制造工艺中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Doping Method)且高耐压、低导通电阻的耗尽型功率MOSFET。

这种DSD法是在以往生产增强型功率MOSFET时所使用的双重扩散法中，增加了可选择性地将杂质部分扩散的技术，且该方法在补偿沟道杂质浓度的同时，形成与基板浓度相同的低浓度的浅层。两者赛璐珞部分截面构造图的比较。

该功率MOSFET在栅极电压为0且为低导通电阻(Typ.18Ω)时，可保持良好的导通状态，但是一旦在栅极施加微小的附加电压，即会呈现出高耐压(400V以上)的高绝缘性(低漏电流：1μA以下)。

这种高耐压、低导通电阻性能原本为二律背反关系，故在传统的增强型功率MOSFET中就已经需要高度的技术水平，因此该性能在耗尽型功率MOSFET中能够得以实现可以说是具有了划时代意义。

b触点型PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器就是通过配备这种耗尽型功率MOSFET而实现的产品。对传统的a触点型PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器(AQV214)和b 触点型PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器(AQV414)做一比较，可看出额定值及其他性能均无大异。因此，可通过组合两种产品来构成电路，使其在更广泛的领域得以运用。

PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器的种类及区别使用

如表1所示，PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器分为8大类，根据各类产品的特长可用于不同的领域。

小结

综上所述，PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器不仅摒弃了传统的机械型继电器所负载的“灵敏度差”、“发出运作声响”、“因开闭造成产品寿命有限”等缺陷，而且还具有一般的SSD可控硅输出光电耦合器所不具备的高电压控制、低导通电阻、b触点回路、AD/DC兼用通电、低漏电流等卓越的特性，再加上其能被用于电信、通信设备、OA设备、自动检针、防盗·防灾设备、ME设备、测量仪器等广泛领域，因此PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器在今后的高速发展将令人拭目以待!