LTC4446：N沟道MOSFET驱动器
出处：chunyang 发布于：2011-02-21 17:30:11
描述
LTC4446 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4446 用于顶端栅极驱动器的上拉电路具有 2.5A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.2Ω 的输出阻抗。用于底端栅极驱动器的上拉电路具有 3A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 0.55Ω 的输出阻抗。
LTC4446 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。
LTC4446 包含欠压闭锁电路，用于在器件启动时停用外部 MOSFET。
LTC4446 采用耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装。
特点
●自举电源电压高至 114V
●宽 VCC 电压：7.2V 至 13.5V
●2.5A 峰值顶端栅极上拉电流
●3A 峰值底端栅极上拉电流
●1.2Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻
●0.55Ω 底端栅极驱动器下拉电阻
●5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载
●8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载
●3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载
●6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载
●可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
●具欠压闭锁功能
●耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装
封装
典型应用
应用
●分布式电源架构
●汽车电源
●高密度电源模块
●电信系统
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