惠普海力士合作打造忆阻器存储
出处:驱动之家 发布于:2011-07-02 22:09:10
惠普公司今天宣布,已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议,双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术,即使用电阻实现存储的ReRAM(Resistive Random Access Memory电阻式存储器)。
忆阻器技术的研究实际上已有数十年的历史。1971年,加州大学伯克利分校Leon Chua教授预测,在电容、电阻和电感之外,还存在第四种基本元件:记忆电阻(Memristor)。这种电阻能够通过施加不同方向、大小电压,改变其阻值。由于可以使用不同阻值代表数字信号,忆阻器在计算机存储领域应用前景广泛。它使用单个元件就可以实现一组闪存电路的功能,并且耗能更少,速度更快。当把忆阻器与半导体电路混合时,可以大幅降低处理器芯片中用于存储的晶体管数量,明显降低成本。
发展历程
2006年,惠普终于通过实验证实了忆阻器的存在,并在2008年于自然杂志发表论文得到世界认可。在证明忆阻器存在后,惠普还在不断推动这项技术的进步,包括2009年实现忆阻器电路堆叠,今年上半年又证实忆阻器可实现逻辑电路,即可以在存储芯片中直接实施运算功能。根据今天签订的协议,双方将共同研发忆阻器技术,争取尽快让使用该技术的ReRAM商品化。海力士将在自己的研发和生产制造中逐步应用忆阻器技术。
由于ReRAM属于非易失性存储设备,其直接的应用就是替代闪存,担当计算机以及各种消费电子设备中的长期存储任务。甚至还可能成为通用性存储介质,取代DRAM甚至硬盘的位置。
忆阻器存储
提供报价
海力士的执行副总裁兼手洗技术官SW博士表示:忆阻器的存储容量是其他竞争者产品的数倍,其技术竞争力巨大。通过与惠普的忆阻器技术合作,我们可以提供全新的,更节能的产品,这将给客户带来高品质的存储产品。
这项技术是惠普的知识产权之一,我们这次与世界上一流的内存供应商海力士一起合作,意图将这个全新的产品在市面上得到大规模普及。这同样也是惠普实验室研发能力的佐证。
亮点
这两家公司都在极力开发新的材料和工艺,为集成电路的发展不断努力。初的忆阻器技术将被用于ReRAM电阻随机存取存储器中。
这种新兴的ReRAM是非易失性存储器,具备低功耗的有点,可以取代目前的闪存芯片,在移动电话和MP3播放器领域大展拳脚。在未来它很可能成为非常普遍的存储介质,也就是我们常说的内存、闪存,甚至是一块高容量硬盘产品。
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