闪速存储器在写人数据时需加12V的电源电压，闪速存储器是目前取代传统的EPROM和EEPROM的主要非挥发性（性）的存储器，目前大部分586主板的BIOS都使用闪速存储器。控制信号来自单片机。当控制信号为“L”（低电平）时，电源电路的输出端向闪存输出11.8V的电源电压。当控制信号为“H”（高电平）时。闪速存储器（Flash Memory）是一类非易失性存储器NVM（Non-Volatile Memory）即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息；而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失。相对传统的EEPROM芯片，这种芯片可以用电气的方法快速地擦写。由于快擦写存储器不需要存储电容器，故其集成度更高，制造成本低于DRAM.它使用方便，既具有SRAM读写的灵活性和较快的访问速度，又具有ROM在断电后可不丢失信息的特点，所以快擦写存储器技术发展迅速。

　　电源电路的输出电压为零。

　　晶体三极管Tr1和Tr2均工作于开关状态。

　　二极管D1和D2是为了防止出现反向电流而接入的整流二极管。当控制信号为高电平（+5V）时。集成电路IC1的第（3）脚（ADJ）电压大于Vref（1.26v）。此时Tr1受IC1第（1）脚电压的控制处于截止状态，于是输出电压为零。而Tr2则受高电平的控制信号控制处于饱和导通状态。将闪存写入电源的连线接地，防止闪存因噪声电压出现误动作。当控制信号为低电平（0V）时。IC1的第（3）脚电压小于1.26V，Tr1变为导通。

　　Tr2则转为截止，于是电源的输出端输出11.8V的电压。电路的输出电流为200mA。

　　闪速存储器从1987年问世，历经短短的10年时间，存储容量已从256kb发展到128Mb，提高了500倍；工艺水平从2um，经过1um、0.6um、0.4um、发展到0.25um，缩小到1/8；单元面积从64um2缩小到0.4um2，其发展速度是十分惊人的。

　　我国闪速存储器的研究刚刚起步，目前仍停留在预研阶段，正在进行0.8um单项工艺实验和存储单元的研究，应加大这方面的投入，缩小与国外的差距。