尔必达公司近日宣布已经完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM内存芯片的研发工作，今年11月份这种芯片将进入送样阶段，年底前则可实现正式批量供货。据集成电路设计行业的消息来源称，预见到SDRAM内存将出现供应短缺的局面，台湾地区集成电路设计厂商和韩国现代半导体公司本星期开始将把16兆、64兆和128兆SDRAM内存芯片的现货价格提高10%至15%。SDRAM内存芯片供应短缺主要是因为包括先锋国际半导体公司、华邦电子和中芯国际等在内的主要厂商正在放弃价格低廉的SDRAM内存芯片生产，开始转产LCD驱动芯片和逻辑集成电路。

　　SGRAM （Synchronous Graphics Random-Access Memory），同步图形随机存储器，是一种专为显卡设计的显存、一种图形读写能力较强的显存，由SDRAM改良而成。SGRAM读写数据时不是一一读取，而是以“块”（Block）为单位，从而减少了内存整体读写的次数，提高了图形控制器的效率。同SDRAM一样，SGRAM也分普通SGRAM与DDR SGRAM两种。

　　比较旧有的50nm制程产品，新40nm 2Gb DDR3内存驱动电流只有前者的2/3左右，支持1.2V/1.35V的较低工作电压，同时也可以在DDR3标准的1.5V电压下工作。这样这种芯片的耗电量便可比过去下降45%左右。

　　在目前的数字化、高清化的时代大背景下，对于个人计算机而言，图形设备无疑是重中之重。只有在底层支持度达到完美的前提下，外设和应用才能够有发展的可能性。那么对于独立显卡这个东西来说，目前的架构发展依旧在正常的轨道上，主流的独显笔记本电脑已经都开始采用nVIDIA GeForce 5xxM系列或者AMD Radeon 6xxxM系列显卡。这些芯片的更新每年基本都保持着稳定的性能上升，如果在此基础上仍然对更高的性能有所渴望，那么显存规格就是应该被考量的指标。也许在以往很多人非常在意显存容量，但现在可能已经不再如此，芯片型号变得比以往被更多地关注起来，虽然前者过度关注容量本身存在误区，但其实与显存相关的话题当中的确有非常值得注意的，我们今天要谈的就是和颗粒规格有关的事情。

　　尔必达同时表示，从50nm制程转换到40nm制程的成本很低，几乎相当于零，而从65nm制程技术转换至40nm所需的成本也可以控制在比较理想的范围之内。

　　除了积极开发更小尺寸的制程工艺技术之外，尔必达同时也在积极完善现有的旧制程技术，他们正在开发65nm XS制程技术，这种技术据称可与其它公司的50nm制程级别产品一争高下。

　　尔必达还表示，其在下属台湾合资企业中推进40nm制程的政策将采取灵活应变的思路，会根据市场需求的实际变化来做出决定。

　　另外，尔必达还宣称采用了新制造系统（即按产品类别区分产线，将移动产品用内存和PC内存等不同用途的产品安排在不同的产线上生产）的广岛分厂的产品良率取得了不错的提升。

　　尔必达表示如果未来的DRAM内存市场状况允许，他们有可能会将40nm制程产品的产出量提升到总产量的50%。

　　相比之下，韩国厂商三星则早在今年七月份即宣称完成了40nm制程2Gb DDR3 1600内存芯片的研发工作，这种内存芯片工作电压可低至1.35v。