等离子(PDP)彩电存储器介绍(上)
出处:hq_y 发布于:2011-09-08 10:18:03
1.PDP 彩电存储器介绍
1 PDP 彩电存储器的种类及作用
PDP 彩电的存储器主要分为四部分,即微控制器(MCU) 内部的RAM 和ROM,MCU 外部的EEPROM 数据存储器和Flash ROM 程序存储器。下面简要进行介绍。
(1)MCU 内部的RAM
RAM 是随机存储器的简称,一般集成在MCU 内部,用来存储程序运行时的中间数据,在MCU 工作过程中,这些数据可能被要求改写,所以RAM 中存放的内容是随时可以改变的。需要说明的是:彩电关机断电后,RAM 存储器存储的数据会消失。
(2)MCU 内部的ROM
ROM 是只读存储器的简称,一般集成在MCU 内部,用来存储程序和固定数据。所谓程序就是根据所要解决问题的要求,应用指令系统中所包含的指令,编成一组有次序的指令集合。所谓数据就是MCU 工作过程中的信息、变量、参数、表格等。当彩电关机断电后,ROM中存储的程序和数据不会消失。
需要说明的是:MCU 内部的ROM 一般是EEPROM 或Flash ROM 存储器,以方便程序的刷写和升级。
(3)MCU 外部的EEPROM
EEPROM 是电可擦写只读存储器的简称,几乎所有的PDP 彩电在MCU 的外部都设有一片EEPROM 存储器,用来存储彩电工作时所需的数据(用户数据、质量控制数据等)。这些数据断电时不会消失,可以通过进入工厂模式或用编程器进行更改。
遇到彩电软件故障时,经常会提到“擦除”、“编程”、“烧写”等概念,一般所针对的都是EEPROM 存储器中的数据,而不是程序。另外,维修彩电时,经常要进入彩电工厂模式(维修模式)对有关数据(EEPROM 中的数据)进行调整。当然,如果彩电的EEPROM 损坏或其中的数据丢失,彩电会出现各种各样的故障,且无法进入工厂模式,即使能够进入,也无法对EEPROM 中的数据进行恢复。此时,必须更换EEPROM(如果损坏)并写入(一般用编程器)正常的数据后,彩电才能正常工作。
(4)MCU 外部的Flash ROM
EEPROM 虽然具有既可读又可写的特点,但写入的速度较慢,使用起来不太方便,于是,人们在EEPROM的基础上,开发出了Flash ROM。
Flash ROM 也称闪存,是一种比EEPROM 性能更好的电可擦写只读存储器。目前,很多PDP 彩电在MCU 的外部,除设有一片EEPROM 数据存储器外,还设有一片Flash ROM 程序存储器。对于此类构成方案,数据(用户数据、质量控制数据等)存储在MCU 外部的EEPROM数据存储器中,辅助程序和屏显图案等存储在MCU 外部的Flash 程序存储器中,主程序存储在MCU 内部的ROM 中。
2.PDP 彩电串行EEPROM 存储器介绍欲(了解更多信息,请登陆www.dzsc.com/data)
(1)EEPROM 存储器的结构
在PDP 彩电中,EEPROM 存储器采用的基本都是24 系列存储器。下面以此为例进行介绍。
24 系列是I2C 总线串行EEPROM,该系列芯片除具有一般串行EEPROM 的体积小、功耗低、工作电压允许范围宽等特点外,还具有型号多、容量大、容量扩展配置灵活、读/写操作简单等特点。图1 所示为24 系列芯片引脚排列图。
图1 24 系列芯片引脚排列图
图1 中,A0、A1、A2 为器件地址选择线;SDA 为串行数据线;SCL 为串行时钟线;WP 为写保护端;VCC 为1.8~5.5 V 正电压;GND为地。
目前,24C 系列串行EEPROM 有24C01、24C02、24C04、24C08、24C16、24C32、24C64 等几种,其存储容量分别为1 Kbit(128×8 bit,128 B)、2 Kbit(256×8 bit,256 B)、4 Kbit (512 ×8 bit,512B)、8 Kbit(1024×8 bit,1 KB)、16 Kbit (2048×8 bit,2 KB)、32Kbit (4096×8 bit,4 KB)、64 Kbit (8192×8 bit,8KB),主要由ATMEL、Microchip、XICOR 等几家公司提供,生产工艺都是CMOS 工艺,工作电压在1.8~5.5 V之间。
归纳总结:24 系列存储器的⑦脚(WP)是写保护端口,当它为低电平时,允许正常的读/写操作;但当该脚为高电平时,则不允许读/写操作,这时任何干扰信号包括正常的操作都被禁止(写保护)。若⑦脚的WP 端直接接地,说明它能随时进行正常的读/写,没有使用其自身的写保护功能。显然,若WP 脚漏焊或虚焊,正常的读/写均成为随机状态,取决于此时⑦脚是否为低电平。
维修实践中发现,有些机型开机后,较长时间内不出图像,然而一段时间后或检查过程中又会自行恢复正常,这很可能是存储器⑦脚WP 接地端漏焊或虚焊造成的。
有些彩电的WP 端都通过电阻与MCU 连接,说明已使用了存储器的写保护功能。具体工作过程是:MCU 在每次启动读/写程序前都令写保护脚输出低电平,这时可以进行读/写操作。然而每次读/写结束,MCU 又令写保护脚输出高电平,然后返回执行其他程序,所以存储器除读/写期间开放“写保护”之外,其余时间都处于“写禁止”状态,有效地保护了存储器中的数据不致丢失。
(2)EEPROM 存储器的数据
一般来说,EEPROM 存储的数据有以下三类:
①用户随机数据:包括:频道预选、开机/待机状态、亮度、对比度、色度、伴音量调整、TV/AV 选择数据。这类数据可由用户根据爱好和需要进行调整,达到快速恢复电视机正常收看的效果。
②质量控制数据:包括:副亮度、副对比度、白平衡、色温、自动增益控制AGC 等数据。这类数据在出厂时已由工厂根据电路状态,使用专门仪器调整,但是由于电视机在长期使用过程中,电路元器件参数可能发生变化,原来设置的数据不能满足电路正常工作的要求,出现偏色、图像、伴音效果差等质量故障,需要对质量数据进行调整后,才能满足正常收看。由于电视机质量标准是按照一定的技术要求制定的,因此这项工作需进入彩电的维修模式才能进行调整。
③选项数据:有时也称“模式”数据或“方式”数据。
该数据是软件功能设置与硬件电路相对应的控制数据。若该机硬件安装了画中画电路,那么,选项数据对应设有画中画开启与控制功能;若安装了丽音解调电路,那么,选项数据中就设有丽音开启与控制功能。在电路硬件配置未改变的情况下,选项数据不能进行更改和调整,否则将造成某些功能丢失,或出现某些奇怪现象,严重时造成“死机”。
以上三类数据中,用户随机数据可采用用户遥控器进行调整、选择;质量控制数据和选项数据则需进入工厂维修模式才能进行调整。其中,质量控制数据是调试检修的主要内容,只有在特殊情况下,才对选项数据进行重新设定。
为了减少调整时的误动作,做到有的放矢,避免将电视机调乱、调死,调整时备有厂家提供的I2C 总线调整项目和数据的资料。没有厂家提供的资料时,在调整前记录原始数据,调整后无效时,恢复原始数据。
(3)串行EEPROM 存储器的代换问题
在维修时,EEPROM 存储器损坏后,应尽量选用同型号的进行代换,如果买不到,则在代换时应特别注意以下几个问题:
①使用相同系列、相同容量的存储器代换。例如,原芯片使用的是24C08,代换品也是24C08。
②代换存储器的存储容量不能小于原型号存储容量。例如,不能用24C01 代换24C02,但一般情况下,可以用24C02 代换24C01。
③有些彩电不能用大容量的存储器进行代换,否则,代换后,会出现一些奇怪的故障,如开机后直接进入维修状态、不能进入维修状态、进入维修状态后,不能改写数据等。
④有些使用24W 系列存储器,其⑦脚接MCU,此类机型代换时使用原型号存储器,若使用24C 系列存储器,可能会产生故障。
⑤不同厂家生产的24 系列存储器,其⑦脚的接法有所不同。美国AT、ST、BR 公司生产的24C 系列存储器的⑦脚需接地才能写入数据;而韩国KOA、KOR、KS 公司生产的24C 系列存储器的⑦脚则需接高电平才能写入数据。代换时必须注意,否则不能存台。因此,在更换24C 系列存储器时,要特别注意其⑦脚在原机上的接法。若是接地,宜用美国AT、ST、BR 公司的24C 存储器直接更换;若是通过一只上拉电阻接+5 V,宜用韩国KOA、KOR、KS 公司的产品直接替换。如果用美国AT、ST、BR 公司的24C 存储器代替韩国KOA、KOR、KS 公司的24C 存储器,应把⑦脚接地;反之,应把⑦脚通过一个6.8 kΩ左右的上拉电阻接+5 V。
(欲了解更多信息,请登陆www.dzsc.com/data)
3.PDP 彩电Flash ROM 存储器介绍
目前,PDP 彩电采用的Flash ROM 存储器,主要有两种形式:一种是并行总线形式,如康佳TM3718 PDP彩电采用的AM29LV800D,海信TLM4788P/TLM5229PPDP 彩电采用的SST39VFl601;另一种是SPI 串行总线形式,如长虹LSl0 机芯PDP 彩电采用的SST25VF512。
下面以并行总线存储器29LV800TE 和SPI 串行总线存储器SST25VF512 为例简要进行介绍。
(1)并行总线存储器29LV800TE 介绍
并行总线存储器29LV800TE 引脚排列示意图如图2 所示。
图2 并行I 2C总线存储器29LV800TE引脚排列示意图
29LV800TE 是容量为8 MB 的16 bit 并行存储器,采用单3.3 V 供电。图2 中的A0~A19 为20 bit地址线,DQO~DQl5 为16 bit 数据线。WE 引脚是控制芯片写入的使能端,OE 引脚是控制芯片输出数据的使能端,这两个引脚控制芯片在选中后的工作状态;CE引脚为芯片的片选端,当MCU 需要对该芯片进行读/写操作时,必须首先选中该芯片,即在CE 端送出低电平,然后,再根据是读指令还是写指令,而将相应的CE或WE 引脚拉至低电平,同时MCU 还要通过A0~A19 地址线送出待读取或写入芯片指定的存储单元地址。
29LV800TE 芯片就将该存储单元中的数据读出到数据线DQ0~DQl5 上,或将DQ0~DQl5 上的数据写入指定的存储单元中,从而完成读/ 写操作。
(待续https://www.dzsc.com/data/html/2011-9-8/98270.html)
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