一、MB 芯片

　　定义：Metal Bonding （金属粘着）芯片；该芯片属于UEC 的产品。

　　特点：

　　1：采用高散热系数的材料---Si 作为衬底、散热容易。

　　2：通过金属层来接合（wafer bonding）磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。

　　3: 导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力（导热系数相差3~4 倍），更适应于高驱动电流领域。

　　4: 底部金属反射层、有利于光度的提升及散热

　　5: 尺寸可加大、应用于High power 领域、eg : 42mil MB

　　二、GB芯片

　　定义：Glue Bonding （粘着结合）芯片；该芯片属于UEC 的产品

　　特点：

　　1：透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底、其出光功率是传统AS （Absorbable structure）芯片的2倍以上、蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。

　　2：芯片四面发光、具有出色的Pattern

　　3：亮度方面、其整体亮度已超过TS芯片的水准（8.6mil）

　　4：双电极结构、其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片

　　三、TS芯片

　　定义：transparent structure（透明衬底）芯片、该芯片属于HP 的产品。

　　特点：

　　1：芯片工艺制作复杂、远高于AS LED

　　2：信赖性卓越

　　3：透明的GaP衬底、不吸收光、亮度高

　　4：应用广泛

　　四、AS芯片

　　定义：Absorbable structure （吸收衬底）芯片；

　　经过近四十年的发展努力、台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段、各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水准、差距不大。

　　大陆芯片制造业起步较晚、其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距、在这里我们所谈的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等

　　特点：

　　1：四元芯片、采用 MOVPE工艺制备、亮度相对于常规芯片要亮

　　2：信赖性优良

　　3：应用广泛