Sekorm实物检测,可与MIO媲美的动态心率传感器
出处:维库电子市场网 发布于:2016-04-19 16:02:40
心率是反映人体循环系统机能的重要参数,经常性 的对心率进行测量,了解身体机能状况,对心脏工作异常有重要的预警作用,而目前智能穿戴设备上动态心率的准确监测并非易事,因为心率监测需要考虑的因素非 常多,包括人体肤色、胖瘦、体温、静止、走路、跑步和光学结构设计等,需要把不同的人群和不同的运动状态做到同一个算法准确测量。
针对以上问题,Silicon Labs推出一款心率传感器Si1144,具有动态心率监测、超低功耗,准确度高、光学设计简单、提供算法库等特点,客户可以快速应用于智能穿戴设备上,目前世强已经代理了该款产品。以下图1是心率传感器结构图,内部集成PD、ADC、滤波器和LED驱动等。
方案优势
一、动态心率
采样EFM32+SI1144+Silicon labs的HRM算法,通过G-sensor配合动态补偿,准确度高,可媲美POLAR心率带和MIO手表的监测效果。
二、超低功耗
待机功耗小于500nA,动态心率检测功耗650uA,相比竞争对手低数倍的功耗,非常适合可穿戴产品对超低功耗的要求。
三、结构简单
将绿光LED和sensor封装在一起,简化光学结构,易于设计。
四、算法
提供Silicon labs的HRM算法库,简单配置即可读取出心率值,不用考虑复杂的算法处理,可快速完成产品设计。
方案测评
下图2是Silicon Labs 的Demo Watch,用于评估SI1144心率传感器动态心率监测效果。
下图3是一个对比测试,其中蓝色是Silicon Labs的手表,红色是Polar心率带,绿色是MIO手表,从慢走-慢跑-中跑-快跑-中跑-慢跑的一个测试过程,总共测试12分钟,从测试效果分析,可媲美POLAR心率带和MIO手表的监测效果。
图3 :Silicon Labs 心率传感器测量结果对比分析
Si1144心率传感器特点:
封装: 4.9x2.85x1.2mm 小封装
通讯接口:I2C接口连接MCU
内部结构:内置一个525nm绿光LED,简化光电隔离设计
LED驱动:可外置驱动3个LED,驱动电流360mA
供电电源:芯片工作电压1.71-3.6V
SI1144心率传感器主要应用于智能穿戴设备,搭载SI1144动态心率传感器准确度高、功耗低,可大大提高产品的竞争力和更好的用户体验。获取更多方案及产品信息可联系SILICON LABS的授权代理商世强。
上一篇:虚拟现实头显和传感器原理详解
下一篇:压力传感器常用的3种检测方法
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- DHT11传感器简介及数据传输过程2024/3/20 17:23:57
- 什么是DS18B20温度传感器,DS18B20温度传感器的优缺点2024/2/26 17:15:41
- 使用细铜线作为集成传感器和加热器进行温度控制2024/2/18 16:11:54
- 使用电感器改进现有设计2024/1/22 16:42:19
- 什么是SLAM?SLAM算法涉及的4要素2024/1/17 16:35:15
- 英特尔数据存储如何操作和实现
- 什么是微动开关_微动开关有什么用_微动开关使用方法
- VCC,VDD,VEE,VSS在电源原理图中有什么区别?
- 低压配电系统设计规范_低压配电系统设计注意事项
- xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试
- 光耦详细应用教程
- 定义绝缘耐久性评估的电压脉冲测试要求
- 采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”
- NOVOSENSE - 纳芯微推出车规级温湿度传感器NSHT30-Q1,助力汽车智能化发展
- Keysight - EV 电池设计创新:扩大续航里程、延长电池寿命