EPC推出采用EPC氮化镓(eGaN)技术的150安培开发板
出处:电子产品世界 发布于:2018-10-25 14:24:27
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出全新的100 V、150 A大电流脉冲激光二极管的驱动演示电路板(EPC9126HC)。面向全自动汽车应用的激光雷达系统需要制作三维地图,因此,侦测四周的目标物件的速度及准确性变得非常重要。从EPC9126HC演示电路板可以看到,与等效MOSFET相比,具备快速转换特性的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)所提供的脉冲功率可以快十倍的速度驱动激光二极管,从而提升激光雷达系统的整体性能。
EPC9126HC开发板主要驱动激光二极管,备有参考接地的氮化镓场效应晶体管(EPC2001C)。该晶体管由德州仪器公司的UCC27611栅极驱动器驱动。EPC2001C的电压为100 V,可驱动高达150 A脉冲电流。EPC9126HC开发板给高功率triple-junction激光二极管的驱动电流高达75 A,其脉宽可以低至5 ns。
开发板为装贴激光二极管所需,提供多个可选并具备超低电感的连接,以及可利用电容器放电(装运时配备),或由电源总线直接驱动二极管。开发板并没有包含激光二极管,它需要由使用者提供,从而对不同的应用进行针对性的评估。
PCB的设计是把功率环路电感减至而同时保持装贴激光二极管的灵活性。板上备有多个无源探头(passive probe),可测量电压及放电电容器的电流,以及备有为50 Ω测量系统而设的输入及传感器的SMA连接器。此外,使用者可使用可选的高窄脉冲发生器。
,EPC9126HC可以在其它采用参考接地的eGaN FET的应用中发挥其效能,例如Class E或其它相同的电路。
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