闪存控制芯片慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation, NasdaqGS: SIMO)于台北国际电脑展(Computex Taipei)推出一系列款PCIe SSD控制芯片, 全系列符合PCIe Gen3 x4 通路NVMe 1.3规范，并以现场实测展现验证其优越效能，为PCIe SSD定义新标准。慧荣科技以完整的PCIe NVMe SSD控制芯片解决方案，来满足全方位巿场需求，包括专为超高速Client SSD设计的SM2262EN、为主流SSD市场开发的SM2263EN，以及适用于BGA SSD的SM2263XT DRAM-Less控制芯片。全系列均采用慧荣独有的韧体技术，包括端到端资料路径保护、SRAM ECC、结合LDPC和RAID的第五代NANDXtend? ECC技术，支持全线3D TLC和QLC NAND，提供完整及稳定的资料保护，满足存储设备所需的高效稳定的需求。

　　SM2262EN超高效能SSD控制芯片解决方案，支持PCIe G3×4通路NVMe 1.3规范和8个NAND通道设计。以独有的韧体技术，有效提升读写效能，循序读取速度高达3.5GB/s，循序写入速度达3.0GB/s，随机读写则高达420K IOPS和420K IOPS。更采用目前的低功耗设计，无论是在待机还是在工作状态下，均展现超低功耗，有效减少30%的功耗，满足用户追求超高效能低功耗的严苛要求。
　　

　　SM2263EN和SM2263XT支持PCIe G3×4通路NVMe 1.3规范和4个NAND通道设计，并提供完整韧体设计，满足主流市场的需求。SM2263XT是一款DRAM-Less SSD控制芯片，支持主机内存缓冲(HMB)架构，有效运用系统缓存区，可提升读写速度，并可封装成适用于平板电脑11.5mm x 13mm 的小尺寸BGA SSD;SM2263XT循序读取速度达2.4GB/s，循序写入速度达1.7GB/s，符合消费级固态硬盘的经济效益需求，成为主流巿场新标配。

　　慧荣科技产品经理郑元顺指出：“顺应大数据时代的来临，对于存储设备的效能要求提升，PCIe SSD成为巿场主流。慧荣一代PCIe SSD控制芯片搭配独有的韧体技术，可发挥闪存效能，全面提升读写速度，并支持所有主要快闪存储器大厂的3D NAND外，还包含了的3D QLC及Micron第三代3D TLC。慧荣完整的控制芯片解决方案，可满足不同巿场应用，更加速了PCIe SSD的普及率。”
　　　　慧荣的SM768图形显示芯片能支持4K的超高清(UHD)，同时拥有USB及PCIe接口，并支持多屏幕应用，提供性能的图形及影像显示解决方案。SM768图形显示芯片内建慧荣科技研发的内容自我调整技术 (Content Adaptive Technology，CAT)，可降低CPU (中央处理器)20%～65%的使用率，不但解决嵌入式系统长期以来因绘图芯片资料过大，导致CPU负载过高拖慢整体系统效能的问题，同时也让显示效能大幅提升。SM768芯片本身的体积仅有19mm X 19mm，整体设备的体积设计可以更小、更易于携带，同时低耗电特色带来低热度系统，设计者可省去散热鳍片的成本与空间。
　　慧荣科技显示芯片产品营销协理李祥贤指出：“高分辨率、顺畅的影像播放，如今已成为消费者对嵌入式系统的基本要求，然而随着影像技术的精进，CPU所需处理的数据日渐庞大，高度的运算负荷造成影像延迟、高耗电的状况，SM768结合CAT与ARM Cortex-R5，以软硬整合的方式，有效降低主机的CPU负载，其高速、低耗电、小体积等特色，打造出新一代的图形显示芯片。”
　　此外，慧荣科技还展示了为高性能存储市场提供的SD 6.1控制芯片、UFS 2.1控制芯片、USB转UFS桥接芯片、USB 3.1控制芯片及专为车载及工控市场提供的单芯片SSD、eMMC及UFS解决方案