板子是s3c2440，使用两片容量为32MB、位宽16bit的EM63A165TS-6G芯片拼成容量为64M、32bit的SDRAM存储器。根据2410datasheet，要使用SDRAM需配置13个寄存器，以下逐个来看：

　　1、 BWSCON：Bus width & wait status control register总线位宽和等待状态控制寄存器。

　　此寄存器用于配置BANK0 – BANK7的位宽和状态控制，每个BANK用4位来配置，分别是：

　　● ST（启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚。对于SDRAM，此位置0；对于SRAM，此位置1）

　　● WS（是否使用存储器的WAIT信号，通常置0为不使用）

　　● DW（两位，设置位宽。此板子的SDRAM是32位，故将DW6设为10）

　　特殊的是bit[2:1]，即DW0，设置BANK0的位宽，又板上的跳线决定，只读的。我这板子BWSCON可设置为0x22111110。其实只需将BANK6对应的4位设为0010即可。

　　2、 BANKCON0 – BANKCON7

　　用来分别配置8个BANK的时序等参数。SDRAM是映射到BANK6和BANK7上的（内存只能映射到这两个BANK，具体映射多大的空间，可用BANKSIZE寄存器设置），所以只需参照SDRAM芯片的datasheet配置好BANK6和BANK7，BANKCON0 – BANKCON5使用默认值0x00000700即可。

　　对于BANKCON6和BANKCON7中的各个位的描述：

　　（1）MT（bit[16:15]）：设置本BANK映射的物理内存是SRAM还是SDRAM，后面的低位就根据此MT的选择而分开设置。本板子应置0b11，所以只需要再设置下面两个参数

　　（2）Trcd（bit[3:2]）：RAS to CAS delay（00=2 clocks,01=3 clocks,10=4 clocks），推2410手册上的荐值是0b01。我们PC的BIOS里也可以调节的，应该玩过吧。

　　（3）SCAN（bit[1:0]）：Column address number（00 = 8-bit，01 = 9-bit，10= 10-bit），SDRAM列地址位数。查阅HY57V561620CT-H芯片手册得知此值是9，所以SCAN=0b01。

　　综合以上各值，BANKCON6 – 7设为0x00018005。

　　3、 REFRESH：刷新控制寄存器。

　　此寄存器的bit[23:11]可参考默认值，或自己根据经验修改，这里用0x008e0000，关键是的Refresh Counter（简称R_CNT，bit[10:0]）的设置，2410手册上给出了公式计算方法。SDRAM手册上“8192 refresh cycles / 64ms”的描述，得到刷新周期为64ms/8192=7.8125us，结合公式，R_CNT=2^11 + 1 – 12 * 7.8125 = 1955。所以可得REFRESH=0x008e0000+1995=0x008e07a3。

　　4、 BANKSIZE：设置SDRAM的一些参数。其中BK76MAP（bit[2:0]）配置BANK6/7映射的大小，可设置为010 = 128MB/128MB或001 = 64MB/64MB，只要比实际RAM大都行，因为bootloader和linux内核都可以检测可用空间的。BANKSIZE=0x000000b2。

　　5、 MRSRB6、MRSRB7：Mode register set register bank6/7

　　可以修改的只有CL[6:4]（CAS latency，000 = 1 clock, 010 = 2 clocks, 011=3 clocks），其他的全部是固定的（fixed），故值为0x00000030。这个CAS在BIOS中应该也设置过吧，对PC的速度提升很明显哦J

　　至此，13个寄存器全部配置好了，下面就可以把代码复制到SDRAM中执行了，同样的程序速度要比片内SRAM运行的慢不少。