本文将聚焦“低压降”的含义，并介绍安森美半导体低压降和极低压降值的LDO产品和方案。您的应用需要低压降的LDO吗？我们将讲解压降的含义，如何测量以及具有标准压降和极低压降的LDO之间的差异。

　　LDO必须具有比压降参数更高的裕量VIN–VOUT。压降是LDO正常运行的  关键参数之一。压降是LDO需要适当调节的VDO=VIN–VOUT，NOM的差。VOUT，NOM是LDO处于稳压状态时在输出端的输出电压标称值。

　　压降值通常在VOUT低于标称值（约3％）或100mV时测量。当VOUT下降时，如约100mV，很容易测量该值。通常针对标称输出电流测量压降参数，因为压降是在VOUT下降（比VOUT，NOM低约3％）时测量的。

　　因此，必须在灌电流模式下将输出连接到电流源，例如，将有源负载连到恒定灌电流。如果电阻连接到输出，则负载输出电流将减小，并且测量无效，请参见下图。

　　图1（压降区域和稳压区域）

　　图2（压降值的测量）

　　LDO应该在VIN和VOUT之间有一个电压差，并具有较高的VDO压降值，以实现好的动态性能。

　　大多数LDO有导通器件P沟道MOSFET（PMOS），这对于较低的输出电压来说有点不利。当标称输出电压VOUT，NOM较低时，带PMOS导通器件的LDO的压降VDO会增加。

　　举例来说，请看下表，假设我们正在使用NCP161。您可以看到1.8V选项的压降值远高于3.3V选项。

　　PMOS器件LDO有缺点，因为它们具有相当高的  输入电压VIN，MIN。NCP110也是PMOS器件LDO，VIN超低。VIN，MIN=1.1V。NCP110的  输出电压选项0.6V的压降值为500mV。

　　如果要求非常低的压降或接近0V的输出电压选项，则可以使用偏置轨LDO。这种LDO有导通器件N沟道MOSFET（NMOS），它需要连接比VOUT高约1V–2V的辅助电源VBIAS，以实现极低的压降。

　　偏置轨LDO与普通LDO的结构相同，但内部模块（除导通器件的所有器件）的电源未连接至VIN。它单独作为次级电源。

　　这些器件的一些示例是NCP130、NCP134、NCP137和NCP139。与带PMOS导通器件的LDO相比，带NMOS导通器件的LDO具有几乎不受输出电压影响的压降。

　　这些器件在额定输出电流下的VDO压降值在40mV?150mV范围内。但是必须如上所述连接VBIAS电压，否则由于伏特单位，压降会高得多。

　　在下图中，您可以看到当VBIAS-VOUT差减小时，NCP134的压降会怎样，这样，VBIAS电压不够高。

　　图3（NCP134的压降取决于VBIAS-VOUT）

　　也可以使LDO带导通器件NMOS但不提供VBIAS电源。有一个电荷泵用于为内部模块供电。电荷泵器件从VIN电源产生高两倍的内部VBIAS电压。

　　图4（NCP134和NCP161的压降差）

　　在图4中，您可看到带PMOS导通器件的LDO和带NMOS导通器件的LDO的压降差。带PMOS导通器件的LDO通常在零输出电流时具有非零压降值。LDO压降的这一部分是内部参考电压的压降。

　　第二部分是通过导通器件的尺寸设置的压降。带NMOS导通器件的LDO具有由VBIAS电压提供的内部基准。因此，它没有  部分。带NMOS导通器件的LDO压降仅通过导通器件的尺寸设置。