Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有内部续流二极管（FWD）、采用陶瓷平板封装的全新压接式IGBT（PPI），进一步壮大其高功率Prime Switch系列的产品阵容。该PPI专为输配电应用而设计，是大电流模块化多电平转换器（MMC）、中压驱动器、直流电网断路器、风电变流器和牵引系统的理想选择。

    Prime Switch Press Pack IGBT

    Prime Switch IGBT的阻断电压为4.5 kV，不带有FWD的型号电流为3000 A，带有FWD的型号为 2000 A。英飞凌为3000A PPI提供了具有4种不同封装直径的外部续流二极管，分别为：D1600U45X122、D2700U45X122、D3900U45X172和D4600U45X172。通过与高度可靠的压接式技术相结合，这种投入实际应用超过40年的的高压IGBT芯片沟槽技术，可为客户的超高功率应用提供卓越的高性能解决方案。此外，这些器件在降低高功率应用的损耗和成本、提高可靠性方面，开辟了新的机会。

    PPI的封装是密封的，专为承受因系统引起的失效事件而设计。于是，除了具备“故障时短路（short-on-fail）”的功能外，PPI还具有极其坚固的封装。为了覆盖更广泛的应用领域和功率范围，英飞凌凭借内部芯片子单元和封装的创新设计，打造出了具有不同电流值和拓扑结构的理想产品组合。