肖特基二极管以发明人肖特基博士（Schottky）命名。SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写。不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。肖特基的两个主要特点，一个是正向导通压降比较低，一般在0.15~0.5V之间，导通压降低可以提高系统的效率。另一个特点是反向恢复时间短，一般在几个纳秒。所以肖特基二极管一般用作高频、大电流整流、低压、续流二极管、保护二极管等。二极管从正向导通到反向截止有一个反向恢复的过程，而不是立即由导通到截止。对 上述的肖特基二极管上加电压。在0-t1时间内，给二极管加正的VF电压，二极管导通，流过二极管的电流IF=（VF-VD）/RL，VD是二极管的导通压降。在t1后，将V1由VF改为-VR，理想条件下，二极管会立刻截止，反向电流IR很小。但实际情况是，二极管并不是立刻截止，而是由正向IF变为一个很大的反向电流IR=VR/RL，维持Ts时间后，IR再慢慢降低到一个很小的值，差不多是0.1倍IR，时间为Tt，这时的二极管才进入反向截止状态。