使用 n 和 p 沟道 MOSFET，您可以轻松实现单刀双掷 (SPDT) 开关来隔离电路的一部分，并在电路其余部分关闭时从辅助电源为其供电以进行待机操作（图 1）。通过使用互补对，您可以为 MOSFET 使用单个控制输入。此拓扑中的 Si4501DY MOSFET 在 5A 时主要元件的压降小于 0.1V，并且在 SO-8 封装中包含两个 MOSFET。
    图 1 n 和 p 沟道 MOSFET 对包括先开后合、单刀双掷开关 (a)。该开关隔离电路的一部分，并在电路其余部分关闭时的待机操作期间从二次电源为其供电 (b)。

    当 2N7002 或类似的控制 MOSFET 将栅极连接在一起并将它们拉到地时，p 沟道 MOSFET 导通。通过关闭 2N7002 将栅极拉至高于电源轨会导致打开 n 沟道 MOSFET。将 p 沟道 MOSFET 的栅极拉至高于源极电位没有任何影响；MOSFET 保持关断状态，漏电很低。
    由此产生的开关是先断后合配置，这是确保次级电源或始终开启的电源永远不必为整个电路供电所必需的。然而，由于 MOSFET 的快速开关，可能不需要超出正常设计规则的额外电容来维持工作电压。
    电路中n沟道器件的布置确保了在子电路被隔离时内部二极管不导通。在这个方向上，n 沟道 MOSFET 还通过二极管为电路供电提供故障安全路径。p 沟道 MOSFET 二极管的正向电压阻止任何电流“反向馈送”次级电源，假设两个电源的电压接近。
    该电路的一个应用示例是台式计算机中的配置和电源接口，可在待机状态下提供即时启动和低功耗。主电源为大功率开关电源，副电源为60Hz线性稳压变压器。