GaN 功率晶体管具有高跨导和宽带宽，可实现非常快速的开关转换，即使在硬开关应用中也能实现极低的损耗。然而，快速开关和随后的高 di/dt 和 dv/dt 可能对主 GaN 功率晶体管的设计和布局提出挑战，其高跨导和宽带宽允许非常快的开关转换，即使在硬开关应用。

    然而，快速开关和随后的高 di/dt 和 dv/dt 可能会对主电源环路、栅极驱动和支持电路的设计和布局提出挑战。这些系统挑战不仅限于分立晶体管和驱动器，还影响那些具有共同封装或集成栅极驱动功能的系统。本次研讨会概述了各种高压 GaN 功率晶体管类型、栅极驱动技术以及栅极驱动电路的隔离和供电方法。它还解决了开关速度与电路和 PCB 寄生阻抗的相互作用、可能出现的潜在问题以及如何解决这些问题。
    此外，我们还将介绍寄生阻抗的起源和影响、如何优化环路电感以及如何使用铜平面和屏蔽将电流引导至所需路径。了解并遵循这些指南将帮助您确保 GaN 设计取得成功。我们将介绍寄生阻抗的起源和影响、如何优化环路电感以及如何使用铜平面和屏蔽将电流引导至所需路径。了解并遵循这些指南将帮助您确保 GaN 设计取得成功。我们将介绍寄生阻抗的起源和影响、如何优化环路电感以及如何使用铜平面和屏蔽将电流引导至所需路径。了解并遵循这些指南将帮助您确保 GaN 设计取得成功。