车级 MOSFET 采用新型 TO 无引线封装，旨在优化两轮和三轮车辆以及其他轻型车辆、汽车 BLDC 电机和电动汽车电池管理的车载电池的电流能力。
　　据该公司介绍，汽车 TOLL 封装采用先进的夹子技术来实现高浪涌电流额定值。该公司表示，这种采用夹子技术的封装采用标准引线接合技术，提供非常低的封装电阻和电感，与其他 TOLL 封装相比，可提高 EMI 性能。AOS 补充道，它还具有低欧姆和高电流功能，可减少高电流应用中所需的并联 MOSFET 数量，从而在不影响可靠性的情况下满足更高的功率密度要求。
　　两个器件的栅源电压均为 20V。25°C 时，80V 器件的连续漏极电流为 445A，100V AOTL66912Q 的连续漏极电流为 370A。100°C 时，AOTL66810Q 和 AOTL66912Q 的连续漏电流分别为 247A 和 269A。25°C 时的脉冲漏极电流为 1780A 和 1480（分别为 80V 和 100V MOSFET）。10V 时，AOTL66810Q 的 RDS(on) 为 1.25mΩ，AOTL66912Q 的 RDS(on) 为 1.7mΩ。
　　与 TO-263 (D2PAK) 封装相比，AOTL66810Q (80V) 和 AOTL66912Q (100V) 的占板面积减小了 30%。它们符合 AEC-Q101 标准，具有 PPAP 能力，并在 IATF 16949 的工厂中制造。它们还符合自动光学检测制造要求。
　　AOTL66810Q 和 AOTL66912Q MOSFET 可立即批量供货，交货时间为 14 至 16 周。