HF JFET 的偏置
出处:维库电子市场网 发布于:2024-05-16 17:12:16
结型场效应晶体管 (JFET) 通常需要向栅极端子施加一些反向偏置电压。
在 HF 和 UHF 应用中,通常使用源电阻器 Rs 两端的电压提供此偏置(图 1)。
除了明显缺乏效率之外,这种方法还有其他缺点:
漏极电流具有统计离散性,因此为了获得电流的目标值,需要进行一些电路调整。
漏极电流可能取决于温度或功率波动。
为了实现可接受的低源阻抗,必须使用多个电容器 Cs。
为了保持相同的净空,需要更高的电源电压。
缺乏与接地层的直接接触意味着晶体管的冷却效果较差,这对于电源应用至关重要。
图 2中的电路没有所有这些。它由一个控制环路组成,为n沟道JFET放大器产生负极性控制电压。
图 2:为 HF 和 UHF 应用中的 n 通道 JFET 放大器产生负极性控制电压的控制环路。
该电路使用自制光电耦合器中的两个红外LED IR333C(直径= 5 mm)。将两个这样的 LED 面对面放置在大约 12 毫米长的适当 PVC 管中,仅此而已。例如,其中一个器件可在 I led < 4 mA 时产生 0.81 V 电压,这对于 HEMT FHX35LG 来说已经足够了。
当然,如果需要更高的电压,可以简单地级联几个这样的设备。
环路中的主要放大由 JFET 本身执行。其值约为gm * R1,其中gm是Q1的跨导。
晶体管对 Q2 和 Q3 比较电阻器 R1 和 R2 上的电压降,使它们相等。因此,通过改变 R2:R3 的比率,您可以设置所需的工作点:
Id = Vdd * R2 / ((R2 + R3) * R1)
我们可以看到,漏极电流 (Id) 仍然取决于电源电压 (Vdd)。为了避免这种依赖性,我们可以用齐纳二极管代替电阻器R2,然后:
Id = Vz / R1
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