ROHM 小型 MOSFET “AW2K21”:超低导通电阻助力快速充电革新
出处:网络整理 发布于:2025-05-16 16:25:56
在当今电子设备飞速发展的时代,快速充电技术已经成为了众多消费者和制造商关注的焦点。为了满足市场对于快速充电的需求,半导体制造商 ROHM(总部位于日本京都市)于 2025 年 5 月 15 日宣布,推出一款具有突破性的 30V 耐压共源 Nch MOSFET 新产品 ——“AW2K21”。这款产品以其业界超低的导通电阻和超小的封装尺寸,为快速充电应用带来了全新的解决方案。
产品亮点
“AW2K21” 的封装尺寸仅为 2.0mm×2.0mm,但其导通电阻却低至 2.0mΩ(Typ.),达到了业界先进水平。这一卓越性能的实现,得益于 ROHM 采用的自有结构。该结构不仅提高了器件的集成度,还显著降低了单位芯片面积的导通电阻。此外,通过在一个器件中内置双 MOSFET 的创新结构设计,仅需 1 枚 “AW2K21” 产品,即可满足双向供电电路所需的双向保护等应用需求。
ROHM 的自有结构将通常垂直沟槽 MOS 结构中位于背面的漏极引脚置于器件表面,并采用了 WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package)封装。WLCSP 封装能够增加器件内部芯片面积的比例,从而进一步降低了新产品的单位面积导通电阻。导通电阻的降低带来了诸多优势,不仅减少了功率损耗,还有助于支持大电流,使 “AW2K21” 能够以超小体积支持大功率快速充电。
通过实际对比可以更直观地感受到 “AW2K21” 的优势。例如,在对小型设备的双向供电电路进行比较时,使用普通产品需要 2 枚 3.3mm×3.3mm 的产品,而使用 “AW2K21” 仅需 1 枚 2.0mm×2.0mm 的产品即可。这使得器件面积可减少约 81%,导通电阻可降低约 33%。即使与通常被认为导通电阻较低的同等尺寸 GaN HEMT 相比,“AW2K21” 的导通电阻也降低了约 50%。因此,这款兼具低导通电阻和超小体积的 “AW2K21” 产品,有助于降低应用产品的功耗并节省空间。
此外,“AW2K21” 还可作为负载开关应用中的单向保护 MOSFET 使用,在这种情况下也实现了业界超低导通电阻。
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