在当今电子设备快速发展的时代，快充技术成为了人们关注的焦点。准谐振芯片由于其在高功率密度、低功耗设计方面的出色表现，被广泛应用于便携式设备、快充产品、USB - PD 充电器等领域。今日为大家推荐深圳银联宝科技的集成 E - GaN 的高频高性能准谐振模式 PD 快充 ic U8726AHE。

　　一、高压启动功能

　　PD 快充 ic U8726AHE 集成了高压启动功能。在启动阶段，U8726AHE 通过芯片 DRAIN 脚对 VDD 充电。当 VDD 电压达到 VVDD_ON（典型值 12V）时，高压供电关闭。输出建立后，芯片供电由辅助绕组提供。
　　在启动过程中，当 VDD 低于 3V 时，高压供电电路对 VDD 电容的充电电流为 IHV1（典型值 0.5mA），采用小电流充电，可以降低 VDD 引脚对地短路时的芯片功耗。当 VDD 电压超过 3V 时，充电电流增加到 IHV2（典型值 4.7mA），以缩短启动时间。随着 VDD 电压升高，充电电流逐渐减小。当 VDD 电压降到 VVDD_REG（典型值 9V）时，高压供电电路再次开启，以维持 VDD 电压。
　　然而，如果低钳位供电状态持续时间超过 80ms，并且系统工作在非轻载模式时，芯片将触发保护。当芯片触发保护状态时，系统停止打驱动，高压供电电路开启，维持 VDD 电压在 VVDD_REG_ST（典型值 12V）。这一保护机制能够有效保障芯片在异常情况下的安全运行，避免因长时间低电压供电而造成的损坏。

　

　　二、集成 E - GaN 和驱动电流分档功能

　　PD 快充 ic U8726AHE 集成高压 E - Mode GaN FET，为了保障 GaN FET 工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为 VDRV（典型值 6.4V）。

　　在高频交直流转换器的设计中，EMI 性能是一个难点。为此，U8726AHE 通过 DEM 管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置 DEM 管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节 GaN FET 的开通速度。系统设计者可以根据实际需求，获得的 EMI 性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。
　　U8726AHE 系列还集成轻载 SR 应力优化功能，在驱动电流配置为、第二、第三档位时，当芯片工作于轻载模式时，将原边开通速度减半，减小空载时 SR 的 Vds 应力过冲。这一功能能够有效提高芯片在轻载情况下的稳定性和可靠性。