在电子电路设计中，去耦电容的合理放置至关重要，尤其是小容量的去耦电容，通常需要越靠近电源管脚放置。那么，为什么会有这样的要求呢？
　　在数字电路里，大量数字电路输出的 “0”“1” 翻转会产生对去耦电容的大量需求。例如，开关 Q 的不同位置代表了输出的 “0”“1” 两种状态。当电路状态转换，开关 Q 接通 RL 低电平，负载电容对地放电，随着负载电容电压下降，其积累的电荷流向地，在接地回路上形成一个大的电流浪涌。随着放电电流建立然后衰减，这一电流变化作用于接地引脚的电感 LG，会在芯片外的电路板 “地” 与芯片内的地之间形成一定的电压差。同样，对于电源端，每次信号翻转也会引入电压差。当众多翻转出现时，就需要运用去耦电容来防止这种噪声向外传播，所以要在靠近器件的电源管脚处放置电容。
　　去耦电容一般对电容器的精度要求并不严格，选用时可根据设计值，选用相近容量或容量接近的电容器。实际的电容存在寄生电感与等效串联电阻，由于单个电容的 ESR、ESL 相近，它们的阻抗特性也是相近的。
　　在这种场景下，我们需要满足以下条件的电容：一是 1nF~10uF 容量，精度要求不高；二是由于用量比较大（电源管脚比较多），需要成本比较低、相同容量情况下体积比较小的电容；三是 ESR、ESL 比较小的电容，以应对需要去耦的高频信号并保证去耦效果。多层片陶瓷电容（MLCC）就非常合适。
　　通常，容值越小的去耦电容越靠近电源管脚放置。这是因为容值小的电容有的谐振频率，去耦半径小，所以要放得离芯片近一点；而容值大的电容，其谐振频率低，去耦半径大，可以稍远一点，电容的等级大致遵循 10 倍关系，以此在有效频段出现低阻抗通道。
　　电源系统的去耦设计的一个重要原则，就是在需要考虑的频率范围内，使整个电源分配系统的阻抗。由于芯片特别是 CPU、FPGA、DSP 等多 IO、大功率芯片作为电路的，这些芯片的电源管脚较多，所以去耦电容的用量也比较大。而且，随着芯片速率越来越高，接口电平越来越低，电路板上会有多种电压值的电源，早期数字电路电源以 5V、3.3V 为主，现在则越来越丰富，如 2.5V、1.8V、1.5V、1.1V、1.0V、0.9V，还有可调可控电源等等，这些开关电源的输入电容和输出电容也需要大量使用。
　　在 PCB 布局设计中，去耦电容（decoupling capacitors）的放置要求十分讲究，尤其是容值较小的去耦电容需要靠近用电器件（如芯片、IC 等），这基于以下几个重要原因：
　　1. 去耦电容的作用和频率特性
　　去耦电容的主要作用是滤除电源电压中的高频噪声或脉动信号，为敏感的用电器件提供平稳的电压。电容的作用与频率密切相关，容值越小的电容，频率响应越高。它在高频下表现更好，能够快速响应高频噪声，因为其具有较低的阻抗（Z = 1/(2πfC)），能在高频信号上起到更好的去耦作用。由于高频信号的波长很短，小电容需要在尽可能短的距离内提供去耦作用，否则信号会在电路中传播较远，导致去耦电容的效果降低。
　　2. 电流路径和寄生效应
　　小容值电容的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL）相对较大，特别是在高频时，这些寄生效应对去耦效果有较大影响。如果电容离用电器件较远，信号通过 PCB 的寄生电阻和电感时，电容的去耦效果会受到衰减，尤其是在高频区域。而且，电流需要通过 PCB 的导线、接地平面等才能到达电容，如果电容离用电器件太远，信号传输路径就会增加，导致电流路径中的噪声更加严重，电容就难以有效地滤除噪声。更小的电容尤其需要短的路径，以便快速响应高频噪声。
　　3. 寄生电感和电流传递速度
　　小电容器由于容值小，其带宽较宽，因此在高频下需要更低的电感来保证有效去耦。如果电容太远，PCB 导线的电感会抵消电容器的去耦效果，导致去耦作用大大减弱。同时，电流在电路板上通过导线的传播速度有限，因此容值较小的电容需要直接、快速地与用电器件连接，以减少信号衰减和延迟。
　　4. 短路径能减小噪声
　　在高速电路中，信号的快速变化容易产生电磁干扰（EMI）或噪声。为了减少这种噪声，去耦电容需要尽可能地靠近用电器件，提供低阻抗的电流路径，确保电源的电压稳定，避免产生高频噪声。容值小的电容可以更有效地应对这些快速的电压波动，离用电器件更近有助于更快响应和消除干扰。
　　综上所述，容值小的去耦电容需要靠近用电器件，这归结于电容器的工作频率特性、寄生效应、电流路径和噪声传输等因素。在高频应用中，电容与用电器件之间的距离越近，去耦效果越好。容值小的电容器需要减少电流路径中的寄生电感和电阻，才能高效地去除电源噪声，保证系统的稳定运行。