MPS推出1700V SiC反激控制器HF1070,为高压辅助电源带来高效新方案
出处:网络整理 发布于:2026-07-10 15:09:47
随着AI数据中心、工业自动化及新能源基础设施持续向更高功率密度和更高系统效率演进,高压直流母线架构正在加速普及。从800V HVDC AI服务器供电架构,到工业变频器和三相智能电表等高压应用场景,辅助电源不仅需要承受更高输入电压,还需要在有限空间内实现更高效率、更低损耗以及更高可靠性。传统高压辅助电源方案通常需要多颗高压器件配合实现,不仅设计复杂,而且在宽输入电压范围下难以兼顾效率、可靠性与系统成本。
针对这一市场需求,HF1070将1700V SiC器件与高性能控制器集成于单芯片中,可覆盖DC 30V至1080V超宽输入范围,并灵活支持AC和DC输入架构设计,帮助工程师简化高压辅助电源开发流程,提升系统可靠性并缩短设计周期。

支持宽范围高压输入,适应多种隔离电源应用需求
随着系统母线电压持续提升,辅助电源对于输入电压范围和耐压能力提出了更高要求。传统方案往往需要针对不同输入平台进行适配,不仅增加开发工作量,也限制了设计灵活性。
HF1070支持DC 30V至1080V超宽输入电压范围,可灵活适配交流和直流输入系统,满足从工业控制到AI数据中心辅电等不同应用场景需求。凭借内置1700V SiC器件和1200V高压启动电路,工程师能够在更高母线电压系统中实现可靠的隔离电源设计,并获得更大的系统设计余量。
创新QR控制架构,实现高效率与低噪声设计
对于高压辅助电源而言,效率直接影响系统功耗、温升以及长期运行可靠性。与此同时,传统准谐振反激方案在轻载和动态工况下还可能出现音频噪声,对终端设备体验产生影响。HF1070采用连续导通模式(CCM)与准谐振(QR)相结合的控制架构。在低压模式下支持CCM/QR控制,以兼顾动态响应与转换效率;进入高压模式后则自动切换至QR控制,通过谷底开通降低开关损耗,从而提升整体效率表现。
与传统准谐振反激控制器相比,HF1070通过降频技术可在整个负载范围内保持高效率。同时,器件采用特有的谷底锁定(Valley Lock)技术,可有效抑制谷底跳变,从而避免音频噪声问题。

此外,当系统进入高压工作模式后,HF1070将关闭CCM控制,以防止启动或输出短路期间因电流累积带来的器件应力问题,进一步提升系统可靠性。更高的转换效率意味着更低的系统温升和更小的散热需求,有助于实现更紧凑的高功率密度电源设计。
全集成方案减少外围器件,简化系统设计
在高压辅助电源设计中,外围器件数量不仅影响系统成本,也直接关系到开发周期和可靠性。HF1070采用SOIC14-9L封装,并将1700V SiC器件、高压启动电路以及控制功能集成于单芯片中,可显著减少外围器件数量,降低系统复杂度。相比传统分立方案,工程师能够更快速地完成电源设计与调试,同时有效缩减PCB面积,为空间受限的应用提供更高的设计灵活性。更高的集成度还有助于降低系统级故障风险,提高产品一致性,并缩短产品上市时间。
丰富保护功能,提升系统运行可靠性
对于高压工业和基础设施应用而言,电源可靠性往往与系统稳定运行直接相关。HF1070集成了完善的保护功能,包括原边采样输出过压保护(ZCD OVP)、原边采样输出欠压保护(ZCD UVP)、VCC过压保护(VCC OVP)、输出过载保护(OLP)、短路保护(SCP)、输入过压及欠压保护(B/I、B/O和OVP)、电流采样电阻开路及短路保护、过温保护(OTP)以及VCC欠压锁定(UVLO)等。通过将多重保护功能集成于单芯片内,HF1070能够帮助工程师快速构建高可靠性辅助电源方案,提高系统在异常工况下的安全性和稳定性,为工业和数据中心等关键应用提供了可靠保障。
HF1070产品规格参数概览
内置 1700V SiC 器件
开关频率限制
HF1070-1A:工作频率上限为 48kHz;HF1070-2A:工作频率上限为 65kH
低压模式下支持 CCM / QR 控制,高压模式下为 QR 控制
特有QR控制技术,可消除音频噪声
支持降频和打嗝模式
内置 1200V 高压启动电路
超低启动电流
峰值电流模式控制
内置输入线性补偿功能
宽 VCC 工作范围
通过 ADJ 引脚实现外部使能 / 关断功能
VCC 欠压锁定(UVLO)保护、VCC 过压保护 (VCC OVP)、原边采样输出过压保护(ZCD OVP)、原边采样输出欠压保护(ZCD UVP)、过载保护(OLP)、可调节输入过欠压保护(B/I 、B/O和OVP)、短路保护(SCP)、电流采样短路保护(SSP)、电流采样开路保护和过温保护(OTP)
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