在当今科技飞速发展的时代，手机等便携设备正朝着更加轻薄、功能更强大的方向发展。在这些设备中，内部空间变得愈发珍贵，每一平方毫米都堪称 “黄金地段”。随着 5G、多摄、大电池及散热系统的普及，手机厂商为了充分利用有限的空间，已成熟运用二合一发声单元这一创新设计理念。
　　所谓二合一发声单元，就是采用一个发声单元承担两种不同的工作，通过巧妙的电路切换与声腔设计，使其既能输出大功率的外放声音，满足用户在多媒体娱乐等场景下的需求；又能满足私密通话的需求，保证通话音质清晰。这一设计带来的直接好处就是节省了大量的内部空间，为手机等设备的进一步小型化和集成化提供了可能。
　　然而，这种 “硬件减法” 并不意味着可以降低对性能的要求。将功率相差好几倍的两种工作模式集中在同一个单元上，对声学设计、功率管理以及信号切换都提出了极为严苛的挑战。具体表现如下：
　　功率动态范围悬殊：在喇叭模式下，输出功率可达 1W - 2W（驱动 8Ω / 6Ω 负载），瞬态功率更是会达到 6W - 7W；而在听筒模式下，仅需要约 0.3W - 0.5W（驱动 16 / 24Ω 负载）。如此大的功率差异，对功放的性能和稳定性提出了很高的要求。
　　噪声敏感度剧增：听筒模式下信号幅值较喇叭模式更低，这使得它对 D 类功放的 PWM 载波、电源纹波及地线噪声极为敏感。一旦受到这些噪声的干扰，就容易出现 “滋滋” 的底噪，严重影响通话质量。
　　切换瞬态冲击：在喇叭 / 听筒模式切换时，MOSFET 的电荷注入可能会产生 “噗” 声爆破音。这种声音会给用户带来不好的体验，降低产品的整体品质。
　　正是在这样的背景下，艾为积极探索更简洁、更可靠的切换方案。从外置分立 MOSFET 到集成 SPST 模拟开关，艾为致力于用一颗低失真、高耐压的模拟开关，优雅地解决功率不匹配与切换噪声等问题。
　　AW35331FDR 主要特性参数
　　信号电压范围广：AW35331FDR 的信号电压范围为 - 20V - 20V，可远超自身电源供电电压（2.3V - 5.5V），并且支持负压传输。这使得它能够适应更加复杂的音频信号环境，确保信号的完整传输。
　　超低导通阻抗：其典型导通阻抗为 90mΩ，平坦度优异（小于 1mΩ），非常适合高保真音频信号应用。低导通阻抗可以有效减少信号在传输过程中的损耗，提高音频信号的质量。
　　支持低压 IO 逻辑电平：该模拟开关支持 1.2V IO 逻辑电平，便于低压 GPIO 直接驱动。这种设计简化了电路的连接和控制，降低了系统的复杂性。
　　掉电保护功能：支持掉电保护，当 VCC = 0V 时，开关路径仍然保持高阻态，可隔离 ±20V 的电压。这一功能可以有效保护电路免受意外掉电的影响，提高系统的可靠性。
　　大电流承载能力：支持大电流，可保证持续过电流能力＞1.5A，峰值电流可达 2.5A 以上。这使得它能够满足一些对电流要求较高的应用场景。
　　AW35331FDR 典型应用图
　　AW35331 正常应用时外围仅需一颗 VCC 的滤波电容。EN 引脚内部本身没有上下拉电阻，如果采用外部 GPIO 来控制时，建议在外部预留一个弱下拉电阻，KΩ 或 MΩ 量级均可，以保证 GPIO 为高阻态时 EN 有个稳定态；为保证 EN 引脚不受外部高频信号干扰，建议预留一个 0.1μF 滤波电容。
　　AW35331FDR 的尺寸为 DFN - 6L 1.5mm × 1.2mm × 0.4mm，外围仅需一颗滤波电容。相比于传统分立器件方案，元器件个数直接由原来的 10 个缩减为 2 个，PCB 占板面积也从 25.52mm? 减小至不到 3mm?，占板面积节省 88%（实际效果以具体项目堆叠为准）。这种显著的尺寸和面积缩减，对于空间紧张的便携设备来说具有重要意义。
　　此方案主要优势
　　宽电压输入输出，支持正负压传输
　　在音频链路的实际应用中，由于寄生效应的存在，比如实际的电路板（PCB）上存在着寄生电感和寄生电容，由此产生的负向过冲电压是无法避免的。开关在此过程中需要确保信号无损失地传输给后级负载，而不能因为无法传输负向电压而产生削波。AW35331 支持正负压传输，可有效避免音频链路上的削波问题，从而避免杂音现象的产生，保证了音频信号的纯净度。
　　恒定的导通阻抗 RON
　　开关处于音频通路上，需要应对快速变化的 PWM 调制波。为了得到良好的 THD + N（总谐波失真加噪声）性能，需要较快的动态响应和维持恒定的导通阻抗 RON，保证△RON 在全摆幅范围偏差。对于功率管而言，需要维持功率管 VGS 恒定。艾为采用 Charge pump 结构，通过实时采集背靠背 NMOS 源极的电压，在此基础上叠加固定的电压，以确保 VGS 电压的恒定，从而实现开关导通阻抗的恒定。这种设计可以有效提高音频信号的传输质量，减少失真和噪声。
　　衍生应用方案

　　AW35331FDR 以其优异的性能，还可应用于双颗并联应用场景。使用 2 颗 AW35331FDR 可实现单刀双掷 SPDT 功能，用于传输正负压信号或者大电流应用。这种衍生应用方案进一步拓展了 AW35331FDR 的应用范围，为更多的电路设计提供了可能。