RAM(Random Access Memory)和ROM(Read-Only Memory)是两种不同类型的计算机存储器,它们在多个方面存在显著的差异: 可写性:RAM是可读可写的存储器,这意味着我们可以向RAM中写入数据,也可以从RAM中读取数...
时间:2024-04-12 阅读:278 关键词:SRAM?,DRAM
HBM(High Bandwidth Memory)是一种先进的内存技术,其原理和优势可以通过以下几点来解析。 原理: HBM技术采用了3D堆叠的设计,将多个DRAM芯片堆叠在一起,通过硅互联(Interposer)技术连接到逻辑芯片(如G...
时间:2024-03-29 阅读:417 关键词:HBM技术
假设我们正在设计一款包含一个或多个处理器内核的片上系统 (SoC) 设备。我们将在设备内部包含相对少量的内存,而大部分内存将驻留在 SoC 外部的分立设备中。 最快的存储...
时间:2024-03-22 阅读:329 关键词:AI 处理器
NAND闪存和NOR闪存都是常见的闪存类型,用于存储数据并作为固态存储设备使用。它们在结构、工作原理和应用方面有一些不同之处。 NAND闪存: 结构: NAND闪存以NAND门为基础单元进行组织,这种门结构使得NAND闪...
时间:2024-03-15 阅读:310 关键词:计算变压器
电容器型电荷泵是一种众所周知的、简单、高效、经济有效(因此很受欢迎!)的用于反转和倍增电压电源轨的方法。然而,也许不太为人所知的是,它们在分压(同时倍增电流)方...
时间:2024-03-13 阅读:234
图像分割是计算机视觉领域中的重要任务,旨在将图像分割成具有语义或结构上有意义的区域或对象。以下是图像分割的一些基本方法和技术解析: 阈值分割: 阈值分割是一种简单直观的图像分割方法,基于像素灰度值...
时间:2024-03-08 阅读:371
DDR3和DDR4是计算机内存模块的两种标准,它们在数据传输速度、能效、密度等方面有所不同。以下是它们的主要特点: DDR3(Double Data Rate 3) 数据传输速度: DDR3内存的数据传输速度相对较慢,最高可达每秒16...
时间:2024-03-07 阅读:206 关键词:DDR3,DDR4
这种替代存储器(历史上称为存储级存储器)在密度和成本方面应优于 DRAM,同时访问速度比 NAND 闪存快得多。最近,生成型人工智能等数据密集型应用的激增推动了对这些存储...
时间:2024-03-06 阅读:262 关键词:存储器
EEPROM是“Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory”的缩写,翻译成中文就是“电可擦除可编程只读存储器”。EEPROM是一种非易失性存储器,它可以用来存储数据,并且可以通过电子方式对其进行擦除和编...
时间:2024-03-04 阅读:222 关键词:eeprom
动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种内存芯片,用于计算机系统中作为主存储器使用。它是一种易失性存储器,意味着当断电时,其中的数据会丢失。DRAM通常以集成电路芯片的形式存在,用于...
时间:2024-02-26 阅读:217 关键词:DRAM
SRAM电路通常由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路(也称输入/输出电路)三部分组成,如图7.3.1所示。 存储矩阵由许多存储单元排列而成,每个存储单元能存储1 位二值数据(1或0),在译码器和读/写电路的控制下,既...
时间:2024-02-20 阅读:183 关键词:SRAM
内存层次结构中的缓存 CPU 内部的寄存器数量相对较少,但速度极高。CPU 可以在单个时钟周期内访问这些寄存器。然而,它们的存储容量很小。相反,访问主存储器以读取或写...
时间:2024-01-24 阅读:828 关键词:SoC
存储器是计算机系统中用于存储和检索数据的设备。根据不同的特性和工作原理,常见的存储器种类包括: 内部存储器: 随机存取存储器(RAM):RAM是一种易失性存储器,可读写。它用于临时存储正在运行的程序和数...
时间:2024-01-23 阅读:403
两种损失 原则上,功率半导体有两种损耗:通态损耗和开关损耗。后者包括开通和关断损耗。通态损耗由电流、通态电压(对于 MOSFET,由其 R DSon)和占空比决定。在描述功...
时间:2024-01-17 阅读:719 关键词:续流二极管
家庭储能系统目前分为并网和离网两种。 并网户用储能系统由太阳能与储能系统混合供电,包括太阳能电池阵列、并网逆变器、BMS管理系统、电池组和交流负载五部分。当市电...
时间:2024-01-16 阅读:931 关键词:家用储能系统电源