负氧离子发生器 四
出处：chunyang 发布于：2008-09-23 00:00:00 | 4900 次阅读
本例介绍的负氧离子发生器，采用晶体管和开放式电极板，其功耗仅为2W左右，可供家庭或办公室使用。
电路工作原理
该负氧离子发生器电路由全波倍压整流电路、脉冲振荡电路和负高压产生电路组成，如图9-116所示。
倍压整流电路由二极管VDl、VD2和电容器Cl、C2组成。
脉冲振荡电路由晶体管V、电阻器Rl、电位器RP、电容器C3、二极管VD3和升压变压器T的绕组组成。
负高压产生电路由T的二次绕组、高压整流硅堆VD4、电阻器R2和电容器C4组成。
交流220V电压经VD1、VD2和C1、C2全波倍压整流后，产生一个620V左右的直流电压。该直流电压经Rl对C3充电，使V集电极与发射极之间的电压随C3充电时目的变化以指数规律上升。当此电压上升至一定值时，V迅速导通 (迸大雪崩击穿状态)，C3通过V和T的绕组迅速放电，当C3上的电压降低到V的雪崩击穿电压值以下时，V截止，620V的直流电压又通过Rl对C3充电，重复以上过程，从而形成脉冲振荡。
在脉冲振荡过程中，T的二次绕组感应出约3OkV的脉帅克压，该脉冲电压经VD4整流、C4滤波后变成-3OkV的静电高压，加在放电板上，空气被电离后产生大量的负氧离子，沿着电力线问四周扩散。
VD3起阻尼作用，它在交流脉冲的正半周时导通。
调整RP的阻值，改变脉冲振荡电路的频率，从而控制负氧离子的浓度高低。
元器件选择
Rl选用2W金属膜电阻器;R2选用1/4W金属膜电阻器或碳膜电阻器。
RP选用WSW系列的可变电阻器。
Cl和C2均选用耐压值为450V的铝电解电容器;C3选用耐压值为630V的CBB电容器或汕浸纸介电容器;C4选用耐压值为3OkV的聚苯乙烯高压电容器或高压瓷介电容器。
VDl-VD3均选用1N4007型硅整流二极管;VD4用两只2DGL型l5kV的高压整流硅堆串联后代用。
V选用3DDl5D或DDO3型硅NPN晶体管。
T使用高压电击器的升压变压器。
电极板可用30根7号缝衣针均匀地焊接在一块12Ommx5Omm的环氧敷铜板上制成。
电路工作原理
该负氧离子发生器电路由全波倍压整流电路、脉冲振荡电路和负高压产生电路组成，如图9-116所示。
倍压整流电路由二极管VDl、VD2和电容器Cl、C2组成。
脉冲振荡电路由晶体管V、电阻器Rl、电位器RP、电容器C3、二极管VD3和升压变压器T的绕组组成。
负高压产生电路由T的二次绕组、高压整流硅堆VD4、电阻器R2和电容器C4组成。
交流220V电压经VD1、VD2和C1、C2全波倍压整流后，产生一个620V左右的直流电压。该直流电压经Rl对C3充电，使V集电极与发射极之间的电压随C3充电时目的变化以指数规律上升。当此电压上升至一定值时，V迅速导通 (迸大雪崩击穿状态)，C3通过V和T的绕组迅速放电，当C3上的电压降低到V的雪崩击穿电压值以下时，V截止，620V的直流电压又通过Rl对C3充电，重复以上过程，从而形成脉冲振荡。
在脉冲振荡过程中，T的二次绕组感应出约3OkV的脉帅克压，该脉冲电压经VD4整流、C4滤波后变成-3OkV的静电高压，加在放电板上，空气被电离后产生大量的负氧离子，沿着电力线问四周扩散。
VD3起阻尼作用，它在交流脉冲的正半周时导通。
调整RP的阻值，改变脉冲振荡电路的频率，从而控制负氧离子的浓度高低。
元器件选择
Rl选用2W金属膜电阻器;R2选用1/4W金属膜电阻器或碳膜电阻器。
RP选用WSW系列的可变电阻器。
Cl和C2均选用耐压值为450V的铝电解电容器;C3选用耐压值为630V的CBB电容器或汕浸纸介电容器;C4选用耐压值为3OkV的聚苯乙烯高压电容器或高压瓷介电容器。
VDl-VD3均选用1N4007型硅整流二极管;VD4用两只2DGL型l5kV的高压整流硅堆串联后代用。
V选用3DDl5D或DDO3型硅NPN晶体管。
T使用高压电击器的升压变压器。
电极板可用30根7号缝衣针均匀地焊接在一块12Ommx5Omm的环氧敷铜板上制成。
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