当稳压器可能遇到远高于正常输入电源工作范围的高压瞬变时，工程师通常会面临艰难的权衡。这种情况在汽车应用中很常见，其中来自交流发电机负载突降的高压瞬变会产生 36 至 75V 的瞬变，持续时间长达 400 毫秒。设计人员必须在能够承受这种最大输入电压的稳压器或使用输入保护方案之间做出选择。本设计理念中的简单电路提供了一种极具成本效益的方法，用于钳位瞬态高达 50V 的电池输入的输入电压，以利用 20V、3MHz 稳压器。有了这个电路，

输入保护元件由 Q 1、R 1、D 1、C 5和二分之一的 D 2组成 （图 1 ）。启动时，N 沟道 MOSFET Q 1的源极处于地电位，并在 R 1 将电池电压施加到栅极时导通。一旦输入电压高于 IC 1上的最小值 2.74V ，LM2734Z 稳压器开始切换，为包含 D 3、D 4和 C B的自举电路充电。此自举电压约为D 3的 V OUT –V FD （正向压降）然后转移到Q 1 的栅极源极。电容器 C 5 然后在自举二极管的关闭时间内保持栅极驱动。

图 1 N 沟道 MOSFET 和齐纳二极管保护开关稳压器免受汽车应用中高达 50V 的瞬态电压的影响。

在正常工作条件下，例如，电池电压为 8 至 18V，D 1 不限制 Q 1的导通，并且栅极电压跟踪输入电源电压上方约 2.5V 以实现从电池电压到低电压降LM2734Z 的输入电压。然而，当输入电压增加到高于 D 1 设置的阈值时，LM2734Z 的输入电压调节为D 1的齐纳电压 (V Z ) 减去 Q 1 的阈值电压，或者大约 20–2V=18V，嗯低于 LM2734Z 的 24V 绝对最大值。选择 Q 1 需要仔细考虑稳态和热瞬态条件下的最大输入电压、栅源电压阈值和功耗。

Q 1是 SI1470DN N 沟道 MOSFET，提供 50V 保护，漏源电压 (V DS ) 为 30V+20V（齐纳二极管 D 1 电压），在栅极到电阻处具有 95 mΩ 的导通电阻- 2.5V 的源电压，采用热效率高的 SC70-6 封装。对于某些应用，稳压器的输出电压可能不足以完全打开所选保护 MOSFET，因此您可以使用单独的齐纳基准来增加自举电压，如 LM2734Z 的数据表所示（参考文献 1 ）。