1. 12V直流电源输入
　
　　J1是12V电源插座
　　输入端通常并联两个电容（一大一小），组成“Π型”滤波电路，这里的组合为220μF+0.1μF
　　220μF大电容（最大工作电压16V）
　　这个较大的电解电容主要用于滤除低频率的噪声和纹波。它可以作为一个能量储存器，为电源线提供一个稳定的电 压源，帮助吸收大的电压波动，从而保护后续电路。它的大容量使得它能够在负载突然增加时提供必要的电流，以维持稳定的电源输出。
　　0.1μF小电容
　　这个较小的陶瓷电容主要用于滤除高频率的噪声。由于其较小的物理尺寸和低的等效串联电阻（ESR），它能够快速响应，滤除高频干扰源引起的高频噪声。
　　将这两种电容并联使用，可以覆盖一个宽广的频率范围，从而提供更彻底的电源滤波。大电容负责低频滤波和提供较大的电荷储备，而小电容则处理高频噪声，这样的组合可以确保电源输入端的电压尽可能平滑，为后续的电路提供一个干净稳定的工作环境。

　　2. 12V转5V （BUCK）

　　BUCK电源芯片采用钰泰的ETA8110，具体功能参考规格书
　　旁路电容和去耦电容，其实都起到滤波作用，大电容滤低频小电容滤高频。IC的电源输入端的滤波电容一般叫旁路电容，IC的信号输出端一般叫去耦电容。（简记：输入旁路，输出去耦；旁路是去耦的子集）
　　VIN端的两个并联电容与SW端的两个并联电容，作为旁路电容与去耦电容，作用如上文的“Π型电路”
　　在 BS 和 SW 之间接一个自举电容
　　在Buck电源芯片中， SW 管脚通常连接到MOSFET的漏极，而 BS 管脚是用来为MOSFET的栅极提供驱动电压的。自举电容是连接在SW管脚和BOOT管脚之间的一个关键组件，它的作用是为MOSFET的栅极提供足够的电压，以确保MOSFET能够完全导通。
　　在MOSFET工作时，栅极需要比源极高出一定的电压才能导通。在高侧开关（High-Side Switch）应用中，这意味着栅极电压需要高于输入电压。自举电路就是用来解决这个问题的，它能够提供比输入电压更高的栅极电压。
　　自举电容的工作原理如下：
　　充电阶段
　　上MOS管关闭，下 MOS 管导通时（SW管脚接地），BS管脚输入电压源VIN相连。这时，自举电容从输入电压源充电。
　　放电阶段
　　上MOS管导通，下MOS管关闭时（SW管脚电压升高），这时自举电容的一端通过SW管脚与地相连，另一端则通过BS管脚与栅极相连。由于自举电容之前已经充电，它会将电荷提供给栅极，使栅极电压高于源极电压，从而确保MOSFET能够完全导通。
　　自举
　　由于SW管脚的电压上升到接近Vin，自举电容的电压会被“提升”（Bootstrap），因此BOOT管脚的电压实际上是Vin加上自举电容两端的电压。这样就能够确保即使在输入电压变化的情况下，MOSFET的栅极也能获得足够的驱动电压。
　　外接电感
　　：使SW管脚输出的具有稳定周期的脉冲电压变成平滑稳定的持续电压
　　当开关导通时，电感充电。当开关断开时，电感放电，维持电流流向负载。
　　　　分压反馈电阻
　　可以使用反馈电阻计算器，调用不同的R1、R2组合，实现改变VOUT的电压，计算公式见原理图
　　知识点：基尔霍夫电流定律
　　分压电阻R1处并联一个电容
　　作用是滤波、高频去耦，100pF电容值很小，通常用于去除高频噪声，允许低频信号通过
　　TP
　　：Test Point
　　USB_IN前的二极管
　　反向电流保护，当USB设备关闭或断电时，防止电源输出端的电容通过USB端口放电
　　FB
　　FB的值由电源IC决定，不同IC的FB不同，具体参考规格书
　　Vout
　　此电路为12V转5V，但Vout由R1 R2组合决定的，不一定能得到5.0V的精度。从原理图中可以看到Vout的计算值为5.22V