本工程报告介绍了适用于 90 VAC 至 132 VAC 电源运行的 23 V（标称值）、184 W 参考设计。该电源设计有恒压/恒流输出，适用于电池充电器应用。 该设计基于采用双电源运...
保持对电源转换器的控制对于最大限度地提高其效率、减少能量损失和延长组件的使用寿命至关重要。适当的控制可以优化电源转换系统的整体性能。复杂的控制算法可有效管理电源转换，同时保持恒定的输出电压和电流。功率...
ADC 基础知识，第 5 部分：系统分析的关键 ADC 规范
在特定应用中，有几个规格可能至关重要。然而，对于这些系统，需要了解以下 ADC 特性：基本传递函数满量程输入范围位数模拟和/或数字增益能力能量消耗吞吐量时序输出噪声ADC 传递函数、满量程输入范围、位数理论上，...
分类：电源技术 时间：2023-08-17 阅读：1348 关键词：ADC
评论 0 适合打印、PDF 和电子邮件 当谈到降压转换器（也称为降压转换器）时，设计人员必须做出许多影响整个系统性能的设计选择，包括选择使用哪种工作模式。虽然某些...
分类：电源技术 时间：2023-08-17 阅读：1510 关键词：PWM ,降压转换器
电源设计传统上高度重视能源效率。如果电源效率低下并且具有不可忽略的功率损耗，系统和最终用户将支付更多费用。我们不要忘记，从线性稳压器到更高效的开关技术的转变是由...
降压转换器也称为降压转换器，是一种开关模式稳压器，可有效地将直流输入电压转换为较低的直流输出电压。在本系列文章中，我们使用 LTspice 来研究开关模式电压转换器的电...
TI - 如何通过低噪声和低纹波设计技术来增强电源和信号完整性
工程师在为采用时钟、数据转换器或放大器的医疗应用、测试和测量以及无线基础设施的噪声敏感型系统设计电源时，经常遇到的一个问题是如何提高准确度和精度，并最大限度降低...
本工程报告介绍了适用于 80+ PC Gold 电源、90-264 VAC 输入范围的 180 W（12 V/14.2 A、12 V/0.83 A）参考设计。12 V 主转换器采用 66 kHz 工作频率，并使用自驱动同步整...
分类：电源技术 时间：2023-08-16 阅读：834 关键词：TFS7703H
本文是一份工程报告，描述了利用 InnoSwitch3-CE 系列 IC 中的 INN3168 的 1.5 A、30 V 输出嵌入式电源。该设计展示了由于高集成度而可能实现的高功率密度和效率，同时仍然...
分类：电源技术 时间：2023-08-16 阅读：837 关键词： InnoSwitch3-CE 系列
集成电压调节器 (IVR) 是电源管理芯片中的一个新类别，它声称已经缓解了功率密度和能源效率之间长达数年的平衡问题。Empower Semiconductor由三位模拟资深人士于 2014 年共...
采用无变压器电源解决方案为低功率电路提供所需电源通常是有利的。 事实上，如果负载电流只有几十毫安，则可以将输入交流电压转换为直流电压，而无需使用大型、昂贵且笨...
因此，我开始思考和研究扩展最近发布的方波倍频器电路的频率范围的可能方法。 为了扩展工作频率范围，我需要从一个非常快速的单触发电路开始。由于无法购买合适的设备，...
Empower Semi 已经分解了 DC-DC 转换器（一种机电设备，可为电气工程师设计人员将直流 (DC) 源从一个电压电平转换为另一个电压电平。该公司使用可配置的硬件平台来简化 DC-...
在当今的汽车和工业电子领域，低压 MOSFET (<100 V) 对高功率的需求不断增加。电机驱动等应用现在需要千瓦级的功率输出。再加上当前模块空间的限制，这意味着处理更多功率的需求正在转移到组件上，特别是 MOSFET...
分类：电源技术 时间：2023-08-11 阅读：1249 关键词：高电流 MOSFET
适用于 CSP GaN FET 的简单且高性能的热管理解决方案
功率器件的热管理 电力电子市场需要越来越小、更高效、更可靠的设备。满足这些严格要求的关键因素是高功率密度（能够减少解决方案的占地面积和成本）和出色的热管理（能...
分类：电源技术 时间：2023-08-31 阅读：596 关键词：CSP GaN FET
由于半导体行业的最新发展，对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的研究正在不断扩大。肖特基势垒 MOSFET 的源极和漏极由硅化物制成，而不是通常的掺杂硅。S...
DC/DC转换 开关模式电源 (SMPS)由于其高效率、紧凑设计和轻重量而用于隔离式和大多数非隔离式DC/DC 转换。晶体管和二极管的导通转换会在各种 SMPS 电路拓扑中不同程度地...
分类：电源技术 时间：2023-08-08 阅读：1130 关键词：DC/DC 转换器
合适的设备概念应允许一定的设计自由度，以便适应各种任务概况的需求，而无需对处理和布局进行重大改变。然而，关键性能指标仍然是所选器件概念的低面积比电阻，最好与其他...
分类：电源技术 时间：2023-08-08 阅读：1164 关键词： SiC MOSFET
