产品型号:MMBZ33VALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):31.350齐纳击穿电压Vz典型值(V):33齐纳击穿电压Vz最大值(V):34.650@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,共阳封装/温度(℃):3SOT-23/-55~1
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1454 关键词：MMBZ33VALT1G
产品型号:MMBZ33VALT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):31.350齐纳击穿电压Vz典型值(V):33齐纳击穿电压Vz最大值(V):34.650@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,共阳封装/温度(℃):3SOT-23/-55~15
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1386 关键词：MMBZ33VALT1
产品型号:MM5Z33VT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):31齐纳击穿电压Vz典型值(V):33齐纳击穿电压Vz最大值(V):35@Izt(mA):2齐纳阻抗Zzt(Ω):300最大功率PMax(W):0.100芯片标识:18封装/温度(℃):SO
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1477 关键词：MM5Z33VT1
产品型号:MM3Z33VT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):31齐纳击穿电压Vz典型值(V):33齐纳击穿电压Vz最大值(V):35@Izt(mA):2齐纳阻抗Zzt(Ω):80最大功率PMax(W):0.200芯片标识:18封装/温度(℃):SO
分类：其它 时间：2007-04-18 阅读：1438 关键词：MM3Z33VT1G
