MOSFET

模拟 IC 设计中的 MOSFET 非理想性

我们讨论的模型描绘了一个理想的 MOSFET,并且由于早期 MOS 晶体管的沟道尺寸较长,因此对于早期 MOS 晶体管来说相当准确。然而,后续研究和晶体管的持续小型化都揭示了晶...

分类:模拟技术 时间:2024-08-13 阅读:738 关键词:模拟 IC

SiC MOSFET的栅极应力测试

氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧...

分类:电子测量 时间:2024-08-06 阅读:159 关键词:SiC MOSFET

在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET

“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率...

分类:元器件应用 时间:2024-06-14 阅读:367 关键词:二极管,MOSFET

使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性

绘制漏极电流与漏极电压的关系图  我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描...

分类:模拟技术 时间:2024-06-11 阅读:734 关键词:MOSFET

东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线,助力降低电源功耗

通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很多产业都产生了积极影响。其中,开关电源起着不可忽视的作用,它凭借稳定、可靠、高效的供电保证了整个通信...

分类:元器件应用 时间:2024-06-05 阅读:314

Qorvo SiC FET与SiC MOSFET优势对比

碳化硅(SiC)如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示,与硅(Si)材料相比,SiC具有诸多技术优势,因此我们不难理解为何它已成为电动汽车(EV)、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中...

分类:元器件应用 时间:2024-05-31 阅读:309 关键词: SiC FET

ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售

新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。  近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多M...

分类:汽车电子/智能驾驶 时间:2024-05-24 阅读:1253 关键词:MOSFET

ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售

新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的...

分类:元器件应用 时间:2024-05-24 阅读:768 关键词:MOSFET栅极驱动器

MOSFET 开关损耗简介

MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。  在开关模...

分类:元器件应用 时间:2024-04-29 阅读:342

xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试

xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实,SiC 功率半导体作为下一代技术迅速引起人们的关注。与 Si IGBT 相比,SiC MOSFET 的效率更高...

分类:电子测量 时间:2024-04-26 阅读:495 关键词:逆变器SiC MOSFET

功率 MOSFET 特性双脉冲测试

IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样,没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。  双脉冲有什么用?  图 1 显示了可...

分类:电子测量 时间:2024-03-07 阅读:290 关键词: MOSFET

MOSFET工作原理和特点

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的场效应晶体管,常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点: 工作原理:结构:M...

分类:元器件应用 时间:2024-03-04 阅读:378 关键词:MOSFET

MOSFET 共源放大器的频率响应

之前,我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用,但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作,我们需要更详细地检查...

时间:2024-02-29 阅读:241 关键词:MOSFET

MOSFET共源放大器简介

放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件,这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑。它们根据哪个晶体管端子是输入、哪个是输出来区分。  在...

分类:电源技术 时间:2024-02-22 阅读:318 关键词:MOSFET

什么是耗尽型 MOSFET?

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器件,涵盖信号放大到数字应用,例如逻辑门和寄存器或存储器阵列。  耗尽型 n 沟道 MOSFET。图片由新泽西半...

分类:元器件应用 时间:2024-01-18 阅读:914 关键词:耗尽型 MOSFET

续流二极管的存储电荷对功率 MOSFET 导通损耗的影响

两种损失  原则上,功率半导体有两种损耗:通态损耗和开关损耗。后者包括开通和关断损耗。通态损耗由电流、通态电压(对于 MOSFET,由其 R DSon)和占空比决定。在描述功...

时间:2024-01-17 阅读:779 关键词:续流二极管

MOSFET 的小信号特性在模拟 IC 设计的作用

什么是小信号分析?  当我们说“小信号”时,我们到底是什么意思?为了定义这一点,让我们参考图 1,它显示了逆变器的输出传输特性。  逆变器的传输特性。  图 1.逆...

时间:2024-01-15 阅读:876

SiC MOSFET 满足高效、高频应用的要求

SiC MOSFET 的优点  SiC MOSFET 的根本优势源自碳化硅材料本身。与传统的硅基半导体相比,SiC 因其卓越的物理和电气特性而脱颖而出。由于碳化硅的带隙比硅大,因此可以承...

分类:元器件应用 时间:2024-01-08 阅读:484 关键词:SiC MOSFET

适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装

电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失,我们需要更仔细地检查所涉及组件的各个方面。  对于这些电力电子系统中使用的拓扑,...

分类:电源技术 时间:2023-12-25 阅读:612

车级 MOSFET 采用新型 TO 无引线封装

车级 MOSFET 采用新型 TO 无引线封装,旨在优化两轮和三轮车辆以及其他轻型车辆、汽车 BLDC 电机和电动汽车电池管理的车载电池的电流能力。  据该公司介绍,汽车 TOLL 封装采用先进的夹子技术来实现高浪涌电流额定...

分类:汽车电子/智能驾驶 时间:2023-12-15 阅读:588 关键词:MOSFET

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