霍尔效应开关和锁存器是磁场比较器。它们将磁通密度(有时称为 B 场)与一些预先指定的阈值进行比较,并将比较结果作为 1 位数字值输出。数字(开/关)霍尔传感器有四种不...
时间:2024-12-05 阅读:111
重复负载瞬态行为 即使 VIN-VOUT 差值较低,TPS7A84A 低噪声 LDO 也能正常工作。 LDO 数据表通常会显示负载瞬态行为的波形。图 1 显示了 TPS7A84A 的示例。阅读数据表时...
分类:电源技术 时间:2024-12-04 阅读:122
设计基于 SiCMOSFET 的 66kW 双向电动汽车车载充电器
随着世界转向更清洁的燃料替代品,电动汽车运输领域正在经历快速增长。此外,配备足够电池容量的电动汽车可用于支持独立负载(V2L)和补充电网电力(V2G)。由此可见,电动...
分类:汽车电子/智能驾驶 时间:2024-12-03 阅读:298
电源是任何电子设备的重要组成部分。 Texas Instruments 的 TPS54302 是一款微型 SOT23-6、高效、5ms 内部软启动、3A 同步、集成 40mR MOSFET 降压转换器芯片,具有 4.5V ...
时间:2024-12-02 阅读:221
在我们关于 VLSI 中晶体管尺寸的系列的延续中,我们将讨论我们系列中的第三个也是最后一个模型,即线性延迟模型。如果您想了解线性 RC 延迟模型 和流行的Elmore 延迟模型,...
时间:2024-11-29 阅读:463
传统两级与单级转换 在传统的两级功率转换系统中,功率因数校正(PFC)和DC/DC转换是分开处理的,需要多个组件并导致更高的成本、更大的外形尺寸和更大的复杂性。 由...
时间:2024-11-27 阅读:339
Diodes Inc. 提出广泛的 USB 电源管理解决方案
USB 接收器控制器负责管理设备(称为接收器)接收的电源。它与源设备协商电力传输协议,检查接收到的电力,并通过实施保护来确保安全运行。接收器控制器确保设备接收适当的...
时间:2024-11-26 阅读:169
单级隔离转换器,例如双向电容器-电感器-电感器-电感器-电容器 (CLLLC),是储能系统 (ESS) 中常用的转换器类型,可节省系统成本并提高功率密度。 CLLLC 的增益曲线较为平坦...
分类:电源技术 时间:2024-11-25 阅读:209
三相负载不产生三次谐波。因此,在三相负载占主导地位的情况下,谐波问题主要来自5次、7次、17次、19次或更高次谐波的电流。谐波抑制变压器 (HMT) 可以使用双次级绕组或变...
分类:元器件应用 时间:2024-11-22 阅读:516
实现射频变压器有两种基本方法:磁耦合变压器和传输线变压器。我们在上一篇文章中讨论过的磁耦合变压器使用磁通链将能量传输到输出。传输线变压器依靠电磁波通过传输线传播...
分类:RFID技术 时间:2024-11-15 阅读:617
开关晶体管上的过压是最常见的故障原因。尽管今天的 MOSFET 比早期的双极晶体管要坚固得多,但这一点在过去 25 年里没有改变。许多 MOSFET 都有雪崩能量额定值。如果发生过...
分类:元器件应用 时间:2024-11-14 阅读:177
为了确保在指定的 40 V 输出上进行安全可靠的测试,选择组件时要考虑各种操作。为了实现更大的电压测试,并展示飞跨电容器多电平转换器 (FCMFC) 如何利用与反激式转换器相...
分类:电子测量 时间:2024-11-13 阅读:180
智能家居设备越来越受到许多采用智能恒温器、照明系统、安全系统和家庭娱乐系统的家庭的欢迎。这些设备提供家庭功能的自动化和无线控制,允许用户通过移动应用程序或数字界...
分类:家电/消费电子 时间:2024-11-11 阅读:563
SLiCAP 能做什么? SLiCAP 的最大卖点之一是它能够求解线性电路设计方程。它可以计算直流和动态频率行为的电路解决方案,在后一种情况下使用拉普拉斯域传递函数、根轨迹...
分类:模拟技术 时间:2024-11-07 阅读:186
市场上有许多不同类型的传感器和换能器,并且通常按被测量的类型(即物理、化学或生物)进行分类。因此,选择使用哪种传感器实际上取决于所测量或控制的数量,下表给出了更...
分类:传感技术 时间:2024-11-08 阅读:272
QSPICE 以最佳方式管理变压器。这些模型可在“符号和 IP”、“行为”、“模拟”和“变压器”下的组件菜单中找到。目前QSPICE管理的模型如图1所示。 图 1:QSPICE 中嵌...
分类:模拟技术 时间:2024-11-06 阅读:590
交流参数定义 当今的大多数信号、电源电压和电流都是交流且非正弦的。区分它们的参数至关重要: 平均数或平均值:这是在一个周期或其倍数内测量的信号的算术平均值,...
时间:2024-11-04 阅读:158
碳化硅元件 与 GaN 相比,SiC 拥有超过 15 年的二极管实际制造和应用经验以及超过 10 年的晶体管实际制造和应用经验。 SiC JFET 和共源共栅构成了坚实的技术,SiC 增强...
分类:元器件应用 时间:2024-11-01 阅读:460