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国内中小分立器件制造商以渠道制胜

在“中国制造”的道路上国产分立器件已经不可或缺的融入供应链。现阶段，以客户需求为出发点，调整并深化产品线，走专业化道路，合理的性价比成为国内分立器件制造的主要目标以及竞争优势的体现。也只有这样，才能做...

分类：其它 时间：2012-12-15 阅读：1556 关键词：国内中小分立器件制造商以渠道制胜分立器件

集成电路和分立器件

半导体产业中有两大分支：集成电路和分立器件。集成电路集成电路（integratedcircuit，港台称之为积体电路）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件...

时间：2012-11-30 阅读：1795 关键词：集成电路和分立器件分立器件

电源设计小贴士43：分立器件（一款可替代集成MOSFET驱动器的卓越解决方案）

在电源设计小贴士 #42 中，我们讨论了 MOSFET 栅极驱动电路中使用的发射器跟踪器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶体管便可以实现 2A 范围的驱动电流。在本设计小贴士中，我们来了解一下自驱动同整流器并探讨何时需要...

分类：电源技术 时间：2012-04-26 阅读：2317 关键词：电源设计小贴士43：分立器件（一款可替代集成MOSFET驱动器的卓越解决方案）

电源设计小贴士42：可替代集成MOSFET的分立器件

在电源设计中，工程师通常会面临控制IC驱动电流不足的问题，或者面临由于栅极驱动损耗导致控制IC功耗过大的问题。为缓解这一问题，工程师通常会采用外部驱动器。半导体厂商（包括TI在内）拥有现成的MOSFET集成电路驱...

分类：电源技术 时间：2012-04-26 阅读：2579 关键词：电源设计小贴士42：可替代集成MOSFET的分立器件

便携式设备充电电路的分立器件保护方案

便携式电子系统往往需要通过一个墙体适配器(交流－直流转换子系统)利用外部电源为其内部电池充电。如今的电池组大都采用了锂技术，因为锂技术能减小便携式产品的总重量。　　但另一方面，这种产品必须遵守严格的充电...

分类：电子测量 时间：2009-09-14 阅读：1981 关键词：便携式设备充电电路的分立器件保护方案充电电路分立器件

abbr_5_半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范.exe

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分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：2428 关键词：abbr_5_半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范.exe

GBT 13150-2005 半导体器件分立器件电流大于100A、环境和半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额

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分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1617 关键词：GBT 13150-2005 半导体器件分立器件电流大于100A、环境和半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额

GB-T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分：闸流晶体管 篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极

GB-T6352-1998半导体器件分立器件第6部分：闸流晶体管第一篇100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范.rar将鼠标放在附件.rar处即可修改，建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.y...

分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1487 关键词：GB-T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分：闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极

GB-T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分：闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸

GB-T6590-1998半导体器件分立器件第6部分：闸流晶体管第二篇100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范.rar将鼠标放在附件.rar处即可修改，建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yin...

分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1664 关键词：GB-T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分：闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸

GB-T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分：整流二极管 篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管（

GB-T6351-1998半导体器件分立器件第2部分：整流二极管第一篇100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范.rar建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yinghuochong.co

分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：2069 关键词：GB-T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分：整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管（

GB T 6217-1998 半导体器件 分立器件 第7部分 双极型晶体管 篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白

GBT6217-1998半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范.rar建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yinghuochong.com/disk/346231.

分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1418 关键词：GB T 6217-1998 半导体器件 分立器件 第7部分 双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白

GB T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分 场效应晶体管 篇 １GHｚ、５W以下的单栅场效应晶体管

GBT6219-1998半导体器件分立器件第8部分场效应晶体管第一篇１GHｚ、５W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范.rar建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yinghuochong.com/disk/34623

分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1631 关键词：GB T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分 场效应晶体管 第一篇 １GHｚ、５W以下的单栅场效应晶体管

GB-T 6217-1998 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管 篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白

GB-T6217-1998半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范.rar建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yinghuochong.com/disk/34623

分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1524 关键词：GB-T 6217-1998 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白

GB-T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管

GB-T6219-1998半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第一篇1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范.rar建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yinghuochong.com/disk/346

分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1550 关键词：GB-T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管

GB-T 7576-1998 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细

GB-T7576-1998半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范.rar建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yinghuochong.com/disk/346231.

分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1785 关键词：GB-T 7576-1998 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细

GB-T 6351-1998 半导体器件分立器件

GB-T6351-1998半导体器件分立器件.rar建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yinghuochong.com/disk/346231.htm来源:xiayan

分类：元器件应用 时间：2009-04-28 阅读：1474 关键词：GB-T 6351-1998 半导体器件分立器件

分立器件封装及其主流类型

龙 乐(龙泉长柏路98号l栋208室，四川 成都 610100)摘 要：分立器件封装也是微电子生产技术的基础和先导-本文介绍国内外半导体分立器件封装技术及产品的主要发展状况，评述了其商贸市场的发展趋势。关键词：半导体；...

分类：PCB技术 时间：2007-04-29 阅读：4904 关键词：分立器件封装及其主流类型200320072005200420102006TO-220SOT-23TO-3TO-3PTO-9223307112SOT-363SO-8D2PAKDO-214AC6096SOD-123SC-74180MM