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半导体硅制备

半导体器件和电路在半导体材料晶圆的表层形成，半导体材料通常是硅。这些晶圆的杂质含量水平必须非常低，必须掺杂到指定的电阻率水平，必须是指定的晶体结构，必须是光学的平面，并达到许多机械及清洁度的规格要求。...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1278 关键词：半导体硅制备

半导体硅片的化学清洗技术-硅片的化学清洗工艺原理

硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：A.有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。B.颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：2746 关键词：半导体硅片的化学清洗技术-硅片的化学清洗工艺原理19701978

半导体硅片RCA清洗技术

传统的RCA清洗技术：所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统清洗工序：SC-1→DHF→SC-21.SC-1清洗去除颗粒：⑴目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去除部分金属杂质。⑵去除颗粒的原理：硅片表面由于H2O2氧化作用生...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：3911 关键词：半导体硅片RCA清洗技术10101013100010121011

半导体硅片DHF清洗技术

a.在DHF洗时，可将由于用SC-1洗时表面生成的自然氧化膜腐蚀掉，而Si几乎不被腐蚀。b.硅片最外层的Si几乎是以H键为终端结构，表面呈疏水性。c.在酸性溶液中，硅表面呈负电位，颗粒表面为正电位，由于两者之间的吸引力...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：2650 关键词：半导体硅片DHF清洗技术

半导体硅片SC-2清洗技术

1清洗液中的金属附着现象在碱性清洗液中易发生，在酸性溶液中不易发生，并具有较强的去除晶片表面金属的能力，但经SC-1洗后虽能去除Cu等金属，而晶片表面形成的自然氧化膜的附着（特别是Al）问题还未解决。2硅片表面...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1985 关键词：半导体硅片SC-2清洗技术10101014