维库电子市场网-十六年专注打造电子元器件采购网

高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管

报道了一种采用U形发射极新结构的高性能InGaP/GaAsHBT.采用自对准发射极、LEU等先进工艺技术实现了特征频率达到108GHz,最大振荡频率达到140GHz的频率特性.这种新结构的HBT的击穿电压达到25V,有利于在大功率领域应用....

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1834 关键词：高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管200220032001