美国科学家成功制造出波长255nm、功率0.57W以及波长250nm、功率0.16W的紫外发光二极管(LED)。该组件目前尚未封装,该研究小组希望藉由覆晶接合(flip-chipbonding)能将功率等级提高3到5倍。此波段的极深紫外光(ultr
分类:元器件应用 时间:2007-12-14 阅读:2009 关键词:美科学家成功制造255nm紫外发光二极管
美国科学家成功制造出波长255nm、功率0.57W以及波长250nm、功率0.16W的紫外发光二极管(LED)。该组件目前尚未封装,该研究小组希望藉由覆晶接合(flip-chipbonding)能将功率等级提高3到5倍。此波段的极深紫外光(ultr
分类:元器件应用 时间:2007-12-14 阅读:2009 关键词:美科学家成功制造255nm紫外发光二极管