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SMBT3906 Datasheet

  • SMBT3906

  • Infineon Technologies AG [PNP Silicon Switching Transistor]

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  • INFINEON   INFINEON

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SMBT3906/ MMBT3906
PNP Silicon Switching Transistor
鈥?/div>
High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA
鈥?/div>
Low collector-emitter saturation voltage
鈥?/div>
Complementary type:
SMBT3904/ MMBT3904 (NPN)
3
2
1
VPS05161
Type
SMBT3906/ MMBT3906
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Total power dissipation-
T
S
= 71 掳C
Junction temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Parameter
Junction - soldering point
1)
1For calculation of
R
Marking
s2A
Pin Configuration
1=B
2=E
3=C
Package
SOT23
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
T
stg
Symbol
R
thJS
Value
40
40
5
200
330
150
-65 ... 150
Value
鈮?/div>
240
Unit
V
mA
mW
掳C
Unit
K/W
thJA
please refer to Application Note Thermal Resistance
1
Jul-28-2003

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