SMBT3904U Datasheet

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SMBT3904U

NPN Silicon Switching Transistor Array

High DC current gain: 0.1mA to 100mA

Low collector-emitter saturation voltage

Two ( galvanic) internal isolated Transistors

with good matching in one package

Complementary type: SMBT3906U (PNP)

C1

6

B2

5

E2

4

5

6

4

3

2

1

VPW09197

TR2

TR1

1

E1

2

B1

3

C2

EHA07178

Type

SMBT3904U

Maximum Ratings

Parameter

Marking

s1A

Pin Configuration

Package

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SC74

Symbol

V

CEO

V

CBO

V

EBO

I

C

P

tot

T

j

T

stg

Value

40

60

6

200

330

150

-65 ... 150

Unit

V

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

DC collector current

Total power dissipation,

T

S

= 105 掳C

Junction temperature

Storage temperature

mA

mW

掳C

Thermal Resistance

Junction - soldering point

1)

R

thJS

135

K/W

1For calculation of

R

thJA

please refer to Application Note Thermal Resistance

1

Nov-30-2001

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