HYB25D256800CL-6 Datasheet

  • HYB25D256800CL-6

  • 256 Mbit Double Data Rate SDRAM

  • 3260.54KB

  • 94页

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HYB25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit Double-Data-Rate SDRAM
Functional Description
Maximum DQSS
T1
CK
CK
Command
Address
Write
BAa, COL b
T2
T3
T4
T5
Write
BAa, COL x
Write
BAa, COL n
Write
BAa, COL a
Write
BAa, COL g
t
DQSS
(max)
DQS
DQ
DM
DI a-b
DI a-b鈥?/div>
DI a-x
DI a-x鈥?/div>
DI a-n
DI a-n鈥?/div>
DI a-a
DI a-a鈥?/div>
Minimum DQSS
T1
CK
CK
Command
Address
Write
BAa, COL b
T2
T3
T4
T5
Write
BAa, COL x
Write
BAa, COL n
Write
BAa, COL a
Write
BAa, COL g
t
DQSS
(min)
DQS
DQ
DM
DI a-b
DI a-b鈥?/div>
DI a-x
DI a-x鈥?/div>
DI a-n
DI a-n鈥?/div>
DI a-a
DI a-a鈥?/div>
DI a-g
DI a-b, etc. = data in for bank a, column b, etc.
b', etc. = odd or even complement of b, etc. (i.e., column address LSB inverted).
Each Write command may be to any bank.
Don鈥檛 Care
Figure 21
Random Write Cycles (Burst Length = 2, 4 or 8)
Data Sheet
46
Rev. 1.6, 2004-12

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