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2SK1824 Datasheet

  • 2SK1824

  • MOS Field Effect Transistor

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  • NEC

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2SK1824
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 藲C)
PARAMETER
Drain Cut-Off Current
Gate Leakage Current
Gate Cut-Off Voltage
Forward Transfer Admittance
Drain to Source On-State Resistance
Drain to Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
SYMBOL
I
DSS
I
GSS
V
GS(off)
|y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DD
= 5V, I
D
= 10 mA
V
GS(on)
= 5 V, R
G
= 10
鈩?/div>
R
L
= 500
鈩?/div>
TEST CONDITIONS
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
GS
=
卤5
V, V
DS
= 0
V
DS
= 3 V, I
D
= 10
碌
A
V
DS
= 3 V, I
D
= 10 mA
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 1 mA
V
GS
= 4.0 V, I
D
= 10 mA
V
DS
= 5.0 V, V
GS
= 0, f = 1 MHz
0.8
20
卤0.1
1.0
50
7
5
16
14
2
15
20
100
100
13
8
MIN.
TYP.
MAX.
1.0
卤3
1.5
UNIT
碌
A
碌
A
V
mS
鈩?/div>
鈩?/div>
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
SWITCHING TIME MEASUREMENT CIRCUIT AND CONDITIONS (Resistive Load)
R
L
DUT
V
DD
R
G
PG.
Gate
Voltage
Waveform
V
GS
0
10 %
V
GS(on)
90 %
I
D
Drain
Current
Waveform
10 %
90 %
90 %
I
D
10 %
0
V
in
0
蟿
蟿
= 1
碌
s
Duty cycle
鈮?/div>
1 %
t
d(on)
t
on
t
r
t
d(off)
t
off
t
f
2

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    版本
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