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BTA208M Datasheet

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Philips Semiconductors
Product specification
Three quadrant triacs
high commutation
BTA208S series B
BTA208M series B
12
10
Ptot / W
BT137
Tmb(max) / C
101
= 180
120
105
109
10
IT(RMS) / A
BT137
1
90
60
30
8
102 C
8
6
4
2
0
6
113
4
117
121
125
10
2
0
2
4
6
IT(RMS) / A
8
0
-50
0
50
Tmb / C
100
150
Fig.1. Maximum on-state dissipation, P
tot
, versus rms
on-state current, I
T(RMS)
, where
伪
= conduction angle.
BTA208
Fig.4. Maximum permissible rms current I
T(RMS)
,
versus mounting base temperature T
mb
.
BT137
1000
ITSM / A
25
IT(RMS) / A
20
dI
T
/dt limit
100
15
10
IT
T
10
10us
I TSM
time
5
Tj initial = 25 C max
100us
1ms
T/s
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
surge duration / s
10
Fig.2. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
TSM
, versus pulse width t
p
, for
sinusoidal currents, t
p
鈮?/div>
20ms.
ITSM / A
IT
T
50
40
30
20
10
0
Fig.5. Maximum permissible repetitive rms on-state
current I
T(RMS)
, versus surge duration, for sinusoidal
currents, f = 50 Hz; T
mb
鈮?/div>
102藲C.
VGT(Tj)
VGT(25 C)
70
60
ITSM
time
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
BT136
Tj initial = 25 C max
1
10
100
1000
0.4
-50
0
Number of half cycles at 50Hz
50
Tj / C
100
150
Fig.3. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
TSM
, versus number of cycles, for
sinusoidal currents, f = 50 Hz.
Fig.6. Normalised gate trigger voltage
V
GT
(T
j
)/ V
GT
(25藲C), versus junction temperature T
j
.
September 1997
3
Rev 1.200

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BTA208S-800B,BTA208S-800E

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