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FD800R33KF2C-K

更新时间:2025-07-04 20:10:49
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  • 安徽纽本科技有限公司

  • FD800R33KF2C-K

    FD800R33KF2C-K

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  • INFINEON/英飞凌

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FD800R33KF2C-K 规格参数
  • 制造商
    Infineon
  • 产品
    IGBT Silicon Modules
  • 配置
    Dual
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    3300 V
  • 在25 C的连续集电极电流
    1300 A
  • 最大工作温度
    + 125 C
  • 封装 / 箱体
    IHV190
  • 栅极/发射极最大电压
    +/- 20 V
  • 最小工作温度
    - 40 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 工厂包装数量
    1
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