带有此标记的料号：
1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
900
TO3P/2101+
进口原装现货
FDA18N50
6000
-/2012
原装
FDA18N50
3688
TO247/-
原装 深圳现货库存
FDA18N50
80000
TO3P/23+
原装现货
FDA18N50
20000
TO3/23+
中国区代理全新原装假一罚十
FDA18N50
80000
TO3P/23+
原装现货
FDA18N50
80000
TO3P/23+
原装现货
FDA18N50
18000
TO3P/22+
原装有货实单支持
FDA18N50
ONSEMI 国
1500
TO3P3L/2110
原厂授权渠道，现货，产品可追溯
FDA18N50
60000
TO3P/21+
十年配单，只做原装
FDA18N50
70000
TO3P/23+
原装现货
FDA18N50
8700
TO3P/2023+
原装现货
FDA18N50
9000
TO3P3 SC653/23+
原厂渠道，现货配单
FDA18N50
12260
TO247/23+
高品质 优选好芯
FDA18N50
5000
TO3P/13+
原装，配单能手
FDA18N50
500V N-Channel MOSFET
FAIRCHILD
FDA18N50PDF下载
FDA18N50
500V N-Channel MOSFET
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
FDA18N50PDF下载
perfet mosfet技术系列相结合，并且相辅相成。这一产品组合提供了完整的解决方案，可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性，并同时降低emi。 stealth ii/hyperfast ii+unifet的组合优化pfc设计 lcd tv的smps一般工作在两类pfc电流模式下：ccm和dcm。为了优化ccm设计，飞兆半导体的新型ffp/pf08s60s stealth ii快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的unifet mosfet同用。例如，19a 500v fda18n50 unifet采用专有的平面条形dmos技术获得很低的导通阻抗rds(on)(0.265ohm @ vgs=10v)和很高的承受uis(非钳位感应开关)的能力。unifet器件与新型的stealth ii二极管相结合，其开关损耗比较前一代产品可降低10%，从而实现出色的系统效率。同样地，飞兆半导体新推出的ffpf08h60s hyperfast ii二极管也可与相同的unifet器件共同使用，在dcm pfc工作模式下提高效率和雪崩保护能力。 superfet frfet用于高效、可靠的主
系列相结合，并且相辅相成。这一庞大的产品组合提供了完整的解决方案，可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性，并同时降低emi。 stealth ii / hyperfast ii + unifet 的组合优化pfc设计 lcd tv的smps一般工作在两类pfc电流模式下：ccm 和 dcm。为了优化ccm设计，飞兆半导体的新型ffp/pf08s60s stealth ii快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的unifet mosfet同用。例如，19a 500v fda18n50 unifet采用专有的平面条形dmos技术获得很低的导通阻抗rds(on) (0.265 ohm @ vgs = 10v) 和很高的承受uis (非钳位感应开关) 的能力。unifet器件与新型的stealth ii二极管相结合，其开关损耗比较前一代产品可降低10%，从而实现出色的系统效率。同样地，飞兆半导体新推出的ffpf08h60s hyperfast ii二极管也可与相同的unifet器件共同使用，在dcm pfc工作模式下提高效率和雪崩保护能力。(参见下表中全部的unifet产品组合。
t技术系列相结合，并且相辅相成。这一庞大的产品组合提供了完整的解决方案，可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性，并同时降低emi。 stealth ii / hyperfast ii + unifet的组合优化pfc设计 lcd tv的smps一般工作在两类pfc电流模式下：ccm和dcm。为了优化ccm设计，飞兆半导体的新型ffp/pf08s60s stealth ii快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的unifet mosfet同用。例如，19a 500v fda18n50 unifet采用专有的平面条形dmos技术获得很低的导通阻抗rds(on)(0.265 ohm @ vgs = 10v)和很高的承受uis(非钳位感应开关)的能力。unifet器件与新型的stealth ii二极管相结合，其开关损耗比较前一代产品可降低10%，从而实现出色的系统效率。同样地，飞兆半导体新推出的ffpf08h60s hyperfast ii二极管也可与相同的unifet器件共同使用，在dcm pfc工作模式下提高效率和雪崩保护能力。 superfet frfet用于高
术系列相结合，并且相辅相成。这一产品组合提供了完整的解决方案，可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性，并同时降低emi。 stealth ii/hyperfast ii+unifet的组合优化pfc设计 lcd tv的smps一般工作在两类pfc电流模式下：ccm和dcm。为了优化ccm设计，飞兆半导体的新型ffp/pf08s60s stealth ii快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的unifet mosfet同用。例如，19a 500v fda18n50 unifet采用专有的平面条形dmos技术获得很低的导通阻抗rds(on)(0.265ohm @ vgs=10v)和很高的承受uis(非钳位感应开关)的能力。unifet器件与新型的stealth ii二极管相结合，其开关损耗比较前一代产品可降低10%，从而实现出色的系统效率。同样地，飞兆半导体新推出的ffpf08h60s hyperfast ii二极管也可与相同的unifet器件共同使用，在dcm pfc工作模式下提高效率和雪崩保护能力。 superfet frfet用于高效
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