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FDB28N30TM

更新时间:2025-05-17 06:47:17
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FDB28N30TM外观图

FDB28N30TM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK

  • 封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
FDB28N30TM 规格参数
  • 标准包装
    800
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    UniFET™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    28A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    129 毫欧 @ 14A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    2250pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    250W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装
    D²PAK
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    FDB28N30TM-NDFDB28N30TMTR
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