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FDD3510H

更新时间:2025-07-13 06:31:26
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FDD3510H外观图

FDD3510H

Fairchild Semiconductor FET - 阵列

IC MOSFET DUAL N/P 80V DPAK-4

  • 封装:TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
FDD3510H 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    N 和 P 沟道
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    80V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    4.3A，2.8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    80 毫欧 @ 4.3A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    800pF @ 40V
  • 功率 - 最大
    1.3W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
  • 供应商设备封装
    TO-252-4L
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    FDD3510HTR
FDD3510H Datasheet数据手册 PDF下载
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