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FDD3682

更新时间:2025-06-28 00:26:34

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深圳市芯国创科技有限公司
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深圳市四雄微电子有限公司
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深圳市中元伟业电子商行
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深圳市华普冠科电子科技有限公
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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深圳市芯国创科技有限公司
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深圳市博洋芯微电子有限公司
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深圳市弘芯创科技有限公司
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深圳市科芯源微电子有限公司
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深圳市盈创晶芯电子有限公司
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深圳市佳达源电子有限公司
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斯耐尔（深圳）科技有限责任公
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深圳市誉辉天成电子有限公司
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FDD3682

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FDD3682 概述

FDD3682是由Fairchild Semiconductor生产的N沟道MOSFET。该器件适用于高效率开关应用，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压为30V，适合在低压电路中使用。典型应用场景包括直流-直流转换器、负载开关以及电源管理电路等。由于其低栅极电荷和低反向传输电容，使得它非常适合高频操作。此外，在同步整流电路中也能发挥良好性能。在实际应用中，需注意栅极驱动电压的选择以确保完全增强MOSFET。设计时应保证足够的散热措施，避免因过热导致的性能下降或损坏。例如，在PCB布局时尽量缩短源极到地的路径长度，减少寄生电感影响。

FDD3682 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
32A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
36 毫欧 @ 32A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
28nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1250pF @ 25V
功率 - 最大
95W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDD3682-NDFDD3682TR

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