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FDD6670A-NL

更新时间:2025-05-16 15:54:54

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深圳市诚研翔科技有限公司
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瀚盈电子(深圳)有限公司
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FDD6670A-NL 概述

FDD6670A-NL是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，典型Rds(on)值为20mΩ（Vgs=10V时）。其最大漏极电流可达30A，适合高频开关应用。工作电压范围在-0.5V至60V之间，栅极阈值电压较低，有助于降低驱动功耗。这款MOSFET适用于电源管理、DC-DC转换器和负载开关等应用场景。例如，在便携式设备的电源管理系统中，可用于高效能的降压转换器设计，提升整体电源转换，避免因过热导致性能下降或损坏。电路设计时应确保栅极驱动电压足够高以保证最佳导通性能，并考虑适当的去耦电容配置来稳定工作电压。

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